36. 下列敘述何者有誤?(A)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳(C)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾(D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立,設計容易
38. 如下圖所示之集極回授偏壓電路,VCC = 12 V,VBE = 0.7 V,電晶體β =120,RC = 1 kΩ,若 VCE = 6.7 V,則RB為何? (A) 48.5 kΩ(B) 76
41. 如下圖所示,其中接面場效電晶體(JFET)之夾止電壓VP = -4 V。已知此接面場效電晶體放大電路的工作點為VDS = 3 V、ID = 1 mA,汲極電阻 rd 忽略不計,則此電路之小訊號
43. 有關由兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大電路的敘述,下列何者正確?(A)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的直流工作點(B)高頻的電壓增益受到耦合電阻的影響而降低(C)第一級直流工作點的變
45. 對於一個放大器,其電壓增益A = -100,輸入阻抗為20 kΩ,使用一電阻R = 100 kΩ,跨接在輸入和輸出端,其輸入阻抗變為多少?(A) 3.7 kΩ (B) 2.1 kΩ (C) 9
48. 若某雙極性接面電晶體的基極電流IB = 20 μA,集極電流IC = 2 mA,且電晶體的β = 150,則此電晶體工作在下列哪一區?(A)飽和區 (B)截止區 (C)逆向作用區 (D)作用區
49. 一串級放大電路,已知第一級電壓增益為20 dB,第二級電壓增益為30倍,若此串聯放大電路輸入電壓Vi為20 μA時,則輸出電壓Vo為何?(A) 800 μV (B) 2 mV (C) 6 mV
50. 有一 N通道增強型MOSFET的臨界電壓VT = 2 V,當VGS = 5 V時,MOSFET工作於飽和區(夾止區),ID = 3 mA。若VGS = 8 V,則轉移電導gm為下列何者?(A)