18. 如右圖所示之電路圖,開關已扳開許久,在 t = 0 時開關閉合,請問 t≥0 時之 V(t) 值為何? (A) 15e-50t V(B) 15e-12.5t V(C) 20e-12.5t V(
19. 有一 RLC 並聯電路,R = 200 Ω,L = 50 mH,C = 0.2 μF,請問該電路之納頻率(Neper Frequency,α)及諧振弳頻率(Resonant Radian Fr
22. 如右圖所示之電路圖,請問a、b之間的戴維寧等效電壓(Vth)及阻抗(Zth)分別為何? (A) Vth = 10∠45°V、Zth = 5 - j5 Ω(B) Vth = 10∠-45°V、Z
21. 有一 RLC 串聯電路,R = 90 Ω,L = 32 mH,C = 5 μF,串聯於Vs=750cos(5000t+30°)電壓源兩端,請問該電路之電流 is 為何?(A) 5cos(500
25. 如右圖所示之雙埠電路圖,下列何者為該電路之 z 參數值? (A) z11 = 5 Ω、z21 = 7.5 Ω、z22 = 10 Ω、z12 = 10 Ω(B) z11 = 10 Ω、z21 =
27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體,在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV),其逆向偏壓的飽和電流為IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1,請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為
28. 有關 PN 接面的二極體,下列敘述何者有誤?(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高(B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄(C)溫度上升時,障壁電壓上升(D)溫
29. 如右圖所示之二極體電路圖,若各二極體均為理想二極體,下列敘述何者有誤? (A)當VI = 0 V時,VA = 4 V,VO = 4 V(B)當VI = 6 V時,VA = 6 V,VO = 6
30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(Operation Point)落在下列何種區域,可獲得較佳之放大倍率?(A)作用區(Active Region) (B)
32. 有關 BJT 與 FET 之比較,下列敘述何者正確?(A) BJT 製作面積比 FET 小 (B)一般來說,FET 作為放大器的雜訊較大(C) BJT 是雙載子元件,FET 是單載子元件 (D
34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值,下列敘述何者正確?(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區
38. 有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較,下列敘述何者有誤?(A) MOS 電流鏡無 β 效應(有限 β 值效應)(B)通常 MOS 電流鏡的VOmin = VGS − Vt = VOV比
39. 如右圖所示之主動負載 CE 放大器,定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I = 0.2 mA,兩電晶體之 |VA| = 40 V,β = 200,VT = 25 mV,下列敘述何者有誤