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28. 有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄(C)溫度上升時，障壁電壓上升(D)溫
問題詳情
28. 有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？
(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升
參考答案
答案：C
難度：
計算中
-1
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27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV)，其逆向偏壓的飽和電流為IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1，請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為
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29. 如右圖所示之二極體電路圖，若各二極體均為理想二極體，下列敘述何者有誤？ (A)當VI = 0 V時，VA = 4 V，VO = 4 V(B)當VI = 6 V時，VA = 6 V，VO = 6
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39. 如下圖所示之工型梁斷面，斷面對中立軸之慣性矩為 I，彈性係數為 E，該斷面受一彎矩 M 作用，斷面之翼版與腹版交接處 a 點(距離中性軸 X)之彎曲應力大小為何？ (A) (B) (C) (D
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