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26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中,主要用來決定下列何者?(A)半導體內電流 (B)半導體型式(n或p)(C)半導體內磁場 (D)半導體溫度
問題詳情
26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中,主要用來決定下列何者?
(A)半導體內電流
(B)半導體型式(n或p)
(C)半導體內磁場
(D)半導體溫度
參考答案
答案:B
難度:
計算中
-1
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26. BF3的點群(Point group)為何?(A) (B) (C) (D)
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27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體,在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV),其逆向偏壓的飽和電流為IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1,請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為
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28. 有關 PN 接面的二極體,下列敘述何者有誤?(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高(B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄(C)溫度上升時,障壁電壓上升(D)溫
29. 如右圖所示之二極體電路圖,若各二極體均為理想二極體,下列敘述何者有誤? (A)當VI = 0 V時,VA = 4 V,VO = 4 V(B)當VI = 6 V時,VA = 6 V,VO = 6
25. 如右圖所示,一受力之地梁,下列何者最能代表其壓應力側之彎矩圖? (A) (B) (C) (D)
30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(Operation Point)落在下列何種區域,可獲得較佳之放大倍率?(A)作用區(Active Region) (B)
31. 如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖,若電晶體 βDC = 80,VBE = 0.7 V,請問 VC 為何? (A) 2 V (B) 4.3 V(C) 5 V (D) 8.6 V
38. 有關延性材料之「抗剪強度」、「抗拉強度」及「抗壓強度」,其由大至小依序為何?(A)抗拉≥抗壓>抗剪 (B)抗壓≥抗剪>抗拉 (C)抗壓≥抗拉>抗剪 (D)抗拉≥抗剪>抗壓
32. 有關 BJT 與 FET 之比較,下列敘述何者正確?(A) BJT 製作面積比 FET 小 (B)一般來說,FET 作為放大器的雜訊較大(C) BJT 是雙載子元件,FET 是單載子元件 (D
33. 有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時,具最大散熱功率 PDO 為 2 W,最大接面溫度為 150 ℃,請問當環境溫度上升至 50 ℃時,可安全散熱之最大功率為何?(A) 1.2 W (B)
34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值,下列敘述何者正確?(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區
35. 有關 MOSFET 之敘述,下述何者有誤?(A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正(B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓,則無法建立通道(C)空乏型 n 通道
36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路,若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點,意即 ID = IDSS,下列哪一種方式可達成?(A) VGS =
37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET,Kn' W L = 2 mA V2 ⁄ ⁄ ,Vt = -3 V,其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤?(忽略通道長度調變效應)(A)當VD =
38. 有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較,下列敘述何者有誤?(A) MOS 電流鏡無 β 效應(有限 β 值效應)(B)通常 MOS 電流鏡的VOmin = VGS − Vt = VOV比
39. 如右圖所示之主動負載 CE 放大器,定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I = 0.2 mA,兩電晶體之 |VA| = 40 V,β = 200,VT = 25 mV,下列敘述何者有誤
26. 如右圖所示,以應變計測量一桿件之O點,其3個方向之應變為εa= εc= 0,εb = 380✖10-6,試求該處之剪應變 γxy 為何? (A) 190✖10-6 (B) 380✖10-6(C
35. 設數列 的前 n 項和 ,試選出正確的選項。(A) =19(B)數列 中的每一項都是正奇數 (C) 是等差數列(D) (E)
27. 關於特定分子之點群(Point group)之敘述,下列何者有誤?(A) CsCl, (B) ethylene, (C) O2F2, C2 (D)
40. 如右圖所示之電流轉換器電路圖,所有電晶體 β = 80,假設二極體與電晶體飽和電流 IS 相同,VT = 25 mV,n = 1,VS = 2 V,R = 1 KΩ,請問 Io 為何? (A)
39. 如下圖所示之工型梁斷面,斷面對中立軸之慣性矩為 I,彈性係數為 E,該斷面受一彎矩 M 作用,斷面之翼版與腹版交接處 a 點(距離中性軸 X)之彎曲應力大小為何? (A) (B) (C) (D
27. 一懸臂梁,長度為 L,撓曲剛度 EI 為常數,其上方承受均佈載重 w 造成之變形曲線可表示為v = - ( 2x4 – 5Lx3 + aL2x2),( 0 ≦ x ≦ L,第一象限),試求
41. 有一個一階運算放大器,其直流增益為 106,且有一極點於 10 rad/s 時,零點為無窮大,若使用電阻將其組成非反向放大器,直流增益為 100,請問非反向放大器之極點為何?(A) 10 ra
42. 請問下列多級放大器耦合類別中,最佳低頻響應為何?(A)電阻電容耦合 (B)直接耦合 (C)變壓器耦合 (D)電感耦合
43. 如右圖所示之簡單音頻放大器電路圖,若要得到較低的轉角頻率 fL = 50 Hz,請問 C 耦合電容值為何? (A) 0.0191 μF (B) 0.0477 μF(C) 0.191 μF (D
44. 有關負回授與非負回授運算放大器之比較,下列敘述何者有誤?(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180°反相(B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以
28. 如右圖所示,一擋土樁露出地面高度為 h,撓曲剛度為 EI,在側向土壓作用下,試求 B 點之撓度為何?(A) (B) (C) (D)