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26. BF3的點群(Point group)為何？(A) (B) (C) (D)
問題詳情
26. BF3的點群(Point group)為何？
(A)
(B)
(C)
(D)
參考答案
答案：D
難度：
計算中
-1
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25. 如右圖所示之雙埠電路圖，下列何者為該電路之 z 參數值？ (A) z11 = 5 Ω、z21 = 7.5 Ω、z22 = 10 Ω、z12 = 10 Ω(B) z11 = 10 Ω、z21 =
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26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中，主要用來決定下列何者？(A)半導體內電流 (B)半導體型式(n或p)(C)半導體內磁場 (D)半導體溫度
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27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV)，其逆向偏壓的飽和電流為IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1，請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為
28. 有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄(C)溫度上升時，障壁電壓上升(D)溫
29. 如右圖所示之二極體電路圖，若各二極體均為理想二極體，下列敘述何者有誤？ (A)當VI = 0 V時，VA = 4 V，VO = 4 V(B)當VI = 6 V時，VA = 6 V，VO = 6
25. 如右圖所示，一受力之地梁，下列何者最能代表其壓應力側之彎矩圖？ (A) (B) (C) (D)
30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點(Operation Point)落在下列何種區域，可獲得較佳之放大倍率？(A)作用區(Active Region) (B)
31. 如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖，若電晶體 βDC = 80，VBE = 0.7 V，請問 VC 為何？ (A) 2 V (B) 4.3 V(C) 5 V (D) 8.6 V
38. 有關延性材料之「抗剪強度」、「抗拉強度」及「抗壓強度」，其由大至小依序為何？(A)抗拉≥抗壓＞抗剪 (B)抗壓≥抗剪＞抗拉 (C)抗壓≥抗拉＞抗剪 (D)抗拉≥抗剪＞抗壓
32. 有關 BJT 與 FET 之比較，下列敘述何者正確？(A) BJT 製作面積比 FET 小 (B)一般來說，FET 作為放大器的雜訊較大(C) BJT 是雙載子元件，FET 是單載子元件 (D
33. 有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時，具最大散熱功率 PDO 為 2 W，最大接面溫度為 150 ℃，請問當環境溫度上升至 50 ℃時，可安全散熱之最大功率為何？(A) 1.2 W (B)
34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區
35. 有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？(A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正(B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓，則無法建立通道(C)空乏型 n 通道
36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即 ID = IDSS，下列哪一種方式可達成？(A) VGS =
37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET，Kn' W L = 2 mA V2 ⁄ ⁄ ，Vt = -3 V，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道長度調變效應)(A)當VD =
38. 有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較，下列敘述何者有誤？(A) MOS 電流鏡無 β 效應(有限 β 值效應)(B)通常 MOS 電流鏡的VOmin = VGS − Vt = VOV比
39. 如右圖所示之主動負載 CE 放大器，定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I ＝ 0.2 mA，兩電晶體之 |VA| ＝ 40 V，β ＝ 200，VT = 25 mV，下列敘述何者有誤
26. 如右圖所示，以應變計測量一桿件之O點，其3個方向之應變為εa= εc= 0，εb = 380✖10-6，試求該處之剪應變 γxy 為何？ (A) 190✖10-6 (B) 380✖10-6(C
35. 設數列 的前 n 項和 ，試選出正確的選項。(A) =19(B)數列 中的每一項都是正奇數 (C) 是等差數列(D) (E)
27. 關於特定分子之點群(Point group)之敘述，下列何者有誤？(A) CsCl, (B) ethylene, (C) O2F2, C2 (D)
40. 如右圖所示之電流轉換器電路圖，所有電晶體 β = 80，假設二極體與電晶體飽和電流 IS 相同，VT = 25 mV，n = 1，VS = 2 V，R = 1 KΩ，請問 Io 為何？ (A)
39. 如下圖所示之工型梁斷面，斷面對中立軸之慣性矩為 I，彈性係數為 E，該斷面受一彎矩 M 作用，斷面之翼版與腹版交接處 a 點(距離中性軸 X)之彎曲應力大小為何？ (A) (B) (C) (D
27. 一懸臂梁，長度為 L，撓曲剛度 EI 為常數，其上方承受均佈載重 w 造成之變形曲線可表示為v = - ( 2x4 – 5Lx3 + aL2x2)，( 0 ≦ x ≦ L，第一象限)，試求
41. 有一個一階運算放大器，其直流增益為 106，且有一極點於 10 rad/s 時，零點為無窮大，若使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為 100，請問非反向放大器之極點為何？(A) 10 ra
42. 請問下列多級放大器耦合類別中，最佳低頻響應為何？(A)電阻電容耦合 (B)直接耦合 (C)變壓器耦合 (D)電感耦合
43. 如右圖所示之簡單音頻放大器電路圖，若要得到較低的轉角頻率 fL = 50 Hz，請問 C 耦合電容值為何？ (A) 0.0191 μF (B) 0.0477 μF(C) 0.191 μF (D
44. 有關負回授與非負回授運算放大器之比較，下列敘述何者有誤？(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180°反相(B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以