5. 有一交流電壓信號V t t ( ) 100sin377 V =，經半波整流電路後，則一週期內輸出電壓平均值應為(A)100V (B)70.7V (C)63.6V (D)31.8V
6. 在常溫下，鍺的本質濃度為 ，若摻雜的砷原子濃度為 ，試求其電洞濃度為？原子/ cm3 (A) (B) (C) (D)
7. 電晶體元件的規格資料表中FE h參數，指的是何種電流增益值為(A) α (B) β (C) γ (D) π
8. 若α＝0.99的電晶體，其 IE ＝10.2mA， IC ＝10mA，則此電晶體操作於(A)主動區 (B)逆向主動區 (C)飽和區 (D)截止區
9. 電晶體共基極組態的洩漏電流CBO I與共射極組態的洩漏電流CEO I的關係為 (A)(B)(C) (D)
10. 如【圖1】所示之電晶體放大器，VCC = 10.7V 、 β =100、VBE = 0.7V 、RB = 200k Ω、RE = 2k Ω，請問下列何者錯誤？(A) I C ＝2.5mA
11. 如【圖2】所示為共基極式偏壓電路，請問下列何者正確？(A) I C＝0.5mA (B) IE ＝0.7mA (C)VO ＝8.55V (D)VCE ＝5V
12. 就達靈頓電路的特性而言，下列何者錯誤？(A)電壓增益很高 (B)電流增益很高 (C)輸入阻抗很高 (D)輸出阻抗很低
13. 如【圖3】所示之電晶體放大器，若rπ＝1KΩ，試求此放大器之輸入阻抗Zi為？(A)10KΩ(B)40KΩ(C)245KΩ(D)7.75KΩ
14. 有一放大電路的功率增益為20dBm，則輸出功率為何？(A)10mW (B)100mW (C)1mW (D)2mW
15. 在串級放大系統中，何種連接方式最易達成阻抗匹配？(A)R-C耦合 (B)變壓器耦合 (C)直接耦合 (D)達靈頓電路
16. 有一N通道JFET，其 I DSS= 9mA ，V P =-3V ，請問當直流偏壓VGS = -1V -時，其汲極電流 I D為何？(A)4mA (B)3mA (C)1.5mA (D)1m
17. 有關BJT與FET的比較，下列敘述何者正確？(A)FET為雙極性電晶體(B)BJT為單極性電晶體(C)一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小(D)BJT為一種電壓控制元件
18. 一增強型MOSFET臨界電壓VT = 2V ，當VGS = 4V 時， I D= 2mA ，若VGS = 5V ，則 I D為？(A) 1mA (B) 1.5mA (C) 3mA (D
19. 在FET的三個交流小訊號參數中，gm、 rd 及μ三者之關係為(A)(B)(C) (D)
20. 運算放大器的內部主要結構中的輸入級為(A)定電流源電路 (B)差動放大器 (C)高增益放大器 (D)射極隨耦器
21. 運算放大器之積體電路編號741的接腳定義，下列何者錯誤？(A)第3腳為輸出 (B)第2腳為反相輸入端(C)第8腳為空腳 (D)第7腳為+VCC
22. 如【圖4】所示之電壓比較顯示電路，當Cds的電阻值為5KΩ時，則LED顯示情形為？(A)LED1亮 (B)LED2亮(C)LED1與LED2都亮 (D)LED1與LED2都滅
23. 下列何者為正弦波振盪器？(A)考畢子振盪器 (B)施密特振盪器(C)單穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器
24. 在哈特萊振盪器中，其正回授是採用(A)電阻回授 (B)電容分壓式 (C)電感分壓式 (D)電壓並聯
25. 如【圖5】所示，已知gm = 2mS ，RG=1MΩ，則此放大器的RO為(A) 1MΩ (B) 2KΩ (C) 333Ω (D)500Ω
26. 電子實習中，常使用負電阻電路，下列何者可正確完成電路？(A)稽納二極體 (B)透納二極體 (C)蕭特基二極體 (D)變容二極體
27. 如【圖6】中，若Ｄ屬於理想二極體，則下列何種作法對改善漣波因素(ripple factor)的效果最差：(A)將輸入電壓變小 (B)將電容值加大 (C)改用全波整流 (D)將電阻值加大
28. 對一60Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60Hz的漣波時，則其電路可能為(A)濾波電容器漏電 (B)變壓器二次側短路(C)電路工作正常 (D)有一二極體開路
29. 如【圖7】電路中，二極體D之作用為：(A)半波整流 (B)保護電晶體 (C)溫度補償 (D)防止雜音