29. 如【圖7】電路中，二極體D之作用為：(A)半波整流 (B)保護電晶體 (C)溫度補償 (D)防止雜音
2. 某電源供應器，若空載時輸出為20V，滿載時輸出為18V，則電路電壓調整率V.R.%為何？(A)10% (B)11.1% (C)12.5% (D)－10%
3. 有一矽二極體，在20°C時的逆向飽和電流為3nA，當溫度升為60°C時其逆向飽和電流為(A)12nA (B)24nA (C)36nA (D)48nA
【已刪除】4. LED所發出光的顏色，與下列何者有關？(A)外加電壓 (B)外加電流 (C)使用的材料 (D)摻雜濃度
5. 有一交流電壓信號，經半波整流電路後，則一週期內輸出電壓平均值應為(A)100V (B)70.7V (C)63.6V (D)31.8V
30. 【圖8】中的 ＝(A)－76 (B)－90 (C)－98 (D)－110
6. 在常溫下，鍺的本質濃度為 ，若摻雜的砷原子濃度為 原子/ cm3 ，試求其電洞濃度為？原子/ cm3 (A) (B) (C) (D)
31. 如【圖9】為何種電路？(A)反相微分器 (B)反相積分器 (C)非反相微分器 (D)非反相積分器
32. OPA應用電路中，如【圖10】屬於下列何種電路？(A)微分器 (B)積分器 (C)指數放大器 (D)對數放大器
33. 下列何項不是一理想運算放大器(OP amp.)所具之特性？(A)輸出阻抗為零 (B)頻寬(Bandwidth)無限大(C)開環路電壓增益無限大 (D)輸入阻抗為零
34. IC555若外加電源15V，則內部較低之比較電位為？(V)(A)5V (B)10V (C)12V (D)15V
35. PN二極體是(A)拋物線元件 (B)線性元件 (C)非線性元件 (D)以上皆非
36. 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數何者較多？(A)不會產生新電子或電洞 (B)一樣多(C)電洞數 (D)電子數
37. 一交流電流i t t mA ( ) 10sin785 ( ) =流過1kΩ電阻，則電流波形的頻率為(A)125Hz (B)785Hz (C)250Hz (D)10Hz
38. 下列敘述何者錯誤？(A)矽半導體隨溫度上升，其電阻值增加(B)N型半導體的少數載子為電洞(C)本質半導體中所加入的五價元素稱為施體(D)在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導
39. 就整流電路而言，半波整流、全波整流及橋式整流電路之比較，以下敘述何者錯誤？（Vm為輸入電壓的峰值）(A)此三者其輸出電壓的平均值(直流值)依序分別為 (B)此三者其二極體使用數依序分
40. 以示波器觀察頻率5kHz的交流波形，若水平時基旋鈕選擇在50μS DIV位置，則示波器螢幕可以顯示幾個週期的波形？(A)10 (B)2.5 (C)5 (D)4
41. 如【圖11】所示，電路如圖(a)，輸入電壓，二極體均視為理想二極體。若輸出電壓 波形如圖(b)所示，則其故障原因最可能為何？(A)D2開路(B)D1與D2短路(C)D1開路(D)R開
7. 電晶體元件的規格資料表中FE h參數，指的是何種電流增益值為(A) α (B) β (C) γ (D) π
8. 若α＝0.99的電晶體，其 IE ＝10.2mA， IC ＝10mA，則此電晶體操作於(A)主動區 (B)逆向主動區 (C)飽和區 (D)截止區
9. 電晶體共基極組態的洩漏電流CBO I與共射極組態的洩漏電流 ICEO的關係為 (A)(B)(C)(D)
42. 發光二極體的發光強度與何者成正比關係？(A)溫度 (B)電子、電洞復合率(C)少數載子流 (D)摻雜濃度
43. 在未外加偏壓下，下列有關P-N接面二極體空乏區的敘述，請問何者錯誤？(A)達到平衡狀態時，在空乏區P側中有電洞、在N側中有自由電子(B)所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電
44. 比較共基極電流增益α、共射極電流增益β與共集極電流增益γ的大小(A)γ＞β＞1＞α(B)α＞β＞γ＞1 (C)γ＞β＞α＞1 (D)β＞1＞α＞γ
45. 試求【圖12】中電路之 VO =? (A) +4V (B) -5V (C) +10V (D) -13V