15.有一矽質半導體,其本質濃度為 1.5×1010/cm3、原子密度為 5×1022/cm3,若每 2×109 原子加入一個受體雜質,請問將轉換成何種外質半導體,且載子濃度為何?(A) N 型半導體
17.如【圖 17】所示電路,若 Q1 與 Q2 電晶體特性相同,β=100,且 VBE=0.7V,則 I 電流為何? (A) 4.15mA (B) 4.50mA (C) 8.30mA (D) 9.0
20.如下圖所示電晶體反相器(Inverter),二極體 D 為理想、電晶體飽和電壓為 0V,假設輸入電壓Vi=5V,且電路正常工作,下列敘述何者正確? (A)二極體 D 導通(ON) (B) IB=
21.如【圖 21】所示,電晶體在飽和區工作下,若 VBE(SAT)=VCE(SAT)=0V,請問集極電流為何? (A) 4.29mA (B) 5.14mA (C) 6.29 mA (D) 7.60m