3. 下列對於半導體的敘述,何者正確?(A) 純的 4 價元素矽(Si)和鍺(Ge)皆是本質半導體 ( Intrinsic Semiconductor )(B) 將 5 價元素磷(P)或砷(As)加入
如圖(三)所示的電路中,電晶體導通時的VBE=0.7 V,飽和時的VCE=0.2 V,電流增益β=100,外接電阻分別為R1=R2=4kΩ和RE=RL=100Ω,電源電壓VCC=12V,耦合電容CB和
圖(七)所示的差動放大器中,假設兩個矽質電晶體之特性相同且皆工作於主體模式,其熱電壓為25mV,導通時的VBE=0.7V,飽和區的VCE上限值為0.3V,【題組】14. 若RC=2kΩ,電流源I0=m
2 下圖所示之電流源(current source)電路,若是已知電晶體 Q2係操作於飽和區(saturation region),且電晶體 Q2之閘極的寬長比(W/L)2為電晶體 Q1之閘極的寛長比
20 下圖所示的二極體是那一種特殊二極體? (A)齊納二極體(Zener diode) (B)變容二極體(varactor)(C)發光二極體(light emitting diode) (D)雷射二極
24 雙極性接面電晶體(BJT)工作於作用模式(active mode),係指下列何者?(A)射極接面順偏,集極接面逆偏 (B)射極接面逆偏,集極接面順偏(C)射極、集極接面皆順偏 (D)射極、集極接
25 如圖所示之電路,若其電流增益(current gain)β=100,則其集極電壓為何?(電晶體導通時,基-射極間之電壓約為 0.7 V)(A)-1 V(B) 0.4 V(C) 1 V(D) 1.
6. 有一穩定二階電路的阻尼比 (damping ratio) 為 0.5,自然頻率為 2 rad/s,若其電壓響應的形式為v (t ) = Aeat cos(bt +θ ) V ,且已知v(0) =