2 圖示NMOS電晶體電路,VDD=5 V,閘極電壓vG=VDD,電晶體參數Vt=1 V,其中電容C為輸出端的雜散電容,下列敘述何者正確? (A)輸入電壓vI=5 V,則輸出電壓vO=5 V(B)輸入
8-28 雙極性接面電晶體(BJT)若工作於作用區(Active-Region),其偏壓需滿足下列何種條件?(A)基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為順向偏壓(B)基-射極接面為順向偏壓,基-集極接
5 有一N通道空乏型MOSFET的汲極飽和電流IDSS=8 mA,截止電壓VGS(off)=-4 V,則在VGS=0 V的情況下,請問汲極電流ID=?(A)8 mA (B)12 mA (C)16 mA
29 金氧半電晶體內部電容影響電路的頻率響應,下列的描述何者錯誤?(A)電晶體工作於三極管(triode)區時閘極電容可視為一平行板電容(B)源極-本體間的電容為一反偏的 pn 接面電容(C)閘極-汲
7 如圖所示為一主動低通電路,R1 = 2 kΩ、R2 = 2 kΩ、R3 = 12 kΩ、C1 = 0.01μF,則高頻截止頻率約為: (A) 2 kHz(B) 4 kHz(C)8 kHz(D) 1
6 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知在工作點的轉移電導(Transconductance)gm為 2 mS,電流IDSS為 8 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP
11 圖為射極耦合邏輯(Emitter-Coupled Logic,ECL)電路。其中VⅠ為輸入,VO1、VO2為輸出,VCC為電壓源,VR為參考電壓,Ⅰ為偏置電流源(Bias Current Sou
8 下圖電路中,電晶體小訊號模型之re=26 mV/IE,ro=50 kΩ,請判斷Zi及Zo約為何? (A)Zi=1.4 kΩ,Zo=3.4 kΩ (B)Zi=2.4 kΩ,Zo=7.1 kΩ(C)Z