31下列何種FET在不加閘極電壓時,沒有通道產生?(A) N 通道 MOSFET (B)增強型 MOSFET (C)空乏型 MOSFET (D) JFET
32如【圖二】所示,0P為理想運算放大器,試求Rin=Vin/Iin=? (A) -1 k (B) -0.5 k (C) 0.5 k (D) 1 k
33如【圖三】所示,OP為理想運算放大器,如Vin之頻率為 5000 Hz 時,則電壓增益 20 log | Vout/Vin | 為: (A) 20 dB (B)_3dB (C)0dB(D) 17
34如【圖四】所示,OP為理想運算放大器,如Vin為2V,當R1 分別為5 k ,4 k 時,Vout分別為: (A)8V,10V (B) 12V,10 V (C) 10V,12 V (D)10V,8
35如【圖五】所示,OP為理想運算放大器,求輸出電壓為多少伏特 ? (A)- 4 V(B) -8 V(C) -8/3 V (D) -2/3 V
36如【圖六】所示,二極體切入電壓為0,7V,順向電阻為100 O,若Va=Vb= 10V,求Vo之值? (A) 6 V(B) 5.23 V (C) 7.44 V (D) 8.06 V
37功率電晶體之集極與外殼接在一起,其最主要的目的為?(A)易於辨認 (B)散熱較佳 (C)製造方便 (D)美觀大方
38»如【圖七】所示,流過Zener 二極體之電流約為: (A) 43 mA (B) 2«5 mA (C) 52 mA (D) 4.8 mA
39洳【圖八】所示,hfe=100,下列數值何者有誤? (A) VCE = 2.5 V(B) VC = -4V(C) IE = 4 mA (D) VB =-5 V
40如【圖九】所示,哪二者電容的目的是用來消除電壓增益衰減? (A) Cl,C2 (B) C3,C4 (C) C2,C3 (D) C2,C4
41如【圖十】所示,二極體之功能為: (A)溫度補償(B)防止雜訊(C)保護電晶體(D)半波整流
42如【圖十一】所示,二極體為理想二極體(順向導通電壓為0伏特),則此電路之輸出電壓Vo 為? (A)8V(B)11V(C) 10 V(D)9V
43如【圖十二】所示,假設所有二極體均為理想二極體,則C3之兩端之電壓為: (A)lVm(B) 2 Vm(C) 3 Vm(D) 4 Vm
1.矽半導體的材料能隙(Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化?(A)能隙變大,阻抗值變小(B)能隙與阻抗值均變小(C)能隙與阻抗值均變大(D)能隙變小,阻抗值變大
44如【圖十三】所示,JFET電路中;Cl = C2 = 0.02 ,C3=20| ,汲_源極飽和電流 IDSS = 4mA,汲-源極夾止電壓VGS(off) = Vp= -4 V,求VGS偏壓為多少
1.材質相同之二導線A、B,A長度為B的2倍,B線徑為A的2倍,則A的電阻為B的:(A)2 倍(B) 1/2 倍(C)l 倍(D) 4 倍(E)8 倍。
45如【圖十四】所示,若Vgs = _3 V且Vd=12V,則:Rs應為: (A) 3.5 k (B) 2.5 k (C) 2 k (D) 3 k
46,如【圖十五】所示’共汲極放大器電路,gm== 0.002(A/V) . rd = 50k,試求VO端看進去之 阻抗約為? (A) 250 (B) 400 (C) 500 (D) 1
47.如【圖十六】所示,共源極放大器電路,假設gm= d002A/V,rd = 20k ,求電壓增益為何? (A)-10 (B)-20 (C) 10(D) 20
48如【圖十七】所示5電晶體放大電路,hfe=150,hie= 5 K 5 hoe = hre=0,電容阻抗不計, 試利用近似等效模型求Io/Ii約為? (A) 150(B)-150(C) 75(D)
49如【圖十八】所示,電晶體電路,此電路中Re之主要作用為? (A)提高小信號放大之電壓增益(B)降低輸出電阻(C)增加直流偏壓工作點的穩定度(D)提高電路的抗震性
50.晶體共射極放大器若加入射極電阻,但不加射極旁路電容,則下列途述何者正確?(A)電壓增益降低 (B)輸出阻抗降低 (C)輸入阻抗降低 (D)非線性失真增加
2.某矽質二極體,在溫度25°C時的逆向飽和電流為5 nA,若溫度上升至55 °C時,則逆向飽和電流變為多少?(A)30 nA(B) 40 nA(C) 60 nA(D) 80 nA
3.晶體振盪器的石英晶體之用途為:(A)回授(B)放大(C)儲能(D)穩壓
4.如【圖1】中之電路使用矽質二極體,則Vo為: (A)16V (B)15.3 V (C)8V(D) 7.65 V