45. 如右圖所示，VDD = 5V，RD = 2kΩ，RG = 5MΩ，VGS(t) = 1V，k = 1.5 mA/V2，試求VDS？ (A) 1.2 V (B) 1.5 V(C) 2 V (D)
46. 如右圖所示，RG = 10kΩ，RS = 1kΩ，RL = 4kΩ，IDQ = 2mA，k = 2mA/V2，試求輸出電阻RO？ (A) 0.2 kΩ (B) 0.4 kΩ(C) 0.6 kΩ
48. 如右圖所示，VS = 10 mV，R1 = 1kΩ，R2 = 2 kΩ，R3 = 2 kΩ，R4 = 4 kΩ，試求VO =？ (A) -80 mV (B) -60 mV(C) 30 mV (
50. 有關振盪器之敘述，下列何者有誤？ (A)石英振盪器是利用晶體本身之壓電效應 (B)一般 RC 相移振盪器所產生的輸出波形為三角波 (C)射頻振盪器一般採用 LC 電路 (D)低頻振盪器一般採用
49. 有一雙極性接面電晶體(BJT)，β = 100，已知室溫下熱電壓 VT = 25 mV，若 IC = 0.5 mA，試求該 BJT 之 gm 為何？ (A) 20 mA⁄V(B) 40 mA⁄
48. 有關功率放大器的特性分成 A 類、B 類、AB 類及 C 類，下列敘述何者有誤？ (A) A 類放大器的工作操作點定於負載線中點 (B) B 類放大器的失真程度最小 (C) AB 類放大器的工
47. 雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 CC 進入基極， 該電容 CC 之主要功能為何？ (A)阻隔直流 (B)使電流增益變大 (C)阻隔交流信號 (D)
46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，其參數 K = 0.5 mA⁄V2，臨界電壓 VT= -2 V，試求 VGS= -4 V 時，ID 值為何？ (A) 0 mA (
45. 在矽半導體材料中摻入五價雜質，其半導體類型、電性及內部多數載子之敘述，下列何者正 確？ (A) p型半導體、正電、電洞 (B) p型半導體、電中性、電洞 (C) n型半導體、負電、電子 (D)
43. 有一 n 通道接面場效電晶體(JFET)之汲極電流 IDSS = 4 mA，其中 VGS(OFF) = ‐4 V，當 JFET 運 作於 VGS = ‐2 V 時，試求順向轉移互導 gm 為何
41. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，熱電壓 VT = 25 mV，基極直流電 IB = 10 μA， β = 99，試求室溫下交流等效電阻 rπ 為何？ (A) 1 kΩ (B) 2.5
38. 有關差動放大器增益與共模拒斥比(CMRR)之敘述，下列何者正確？ (A) Acm (共模增益)越大越好 (B) Ad (差模增益)越小越好 (C)理想 CMRR 為無窮大 (D) CMRR 越
35. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤？ (A) MOSFET 的工作模式為歐姆區(三極管區)、夾止飽和區及截止區 (B)可分成傳導載子為電子的 n 通道與傳導載子為電洞的 p 通道 (