30.B類放大器的特性為:(A)失真小,效率低(B)失真小,效率高 (C)失真大,效率低 (D)失真大,效率高
31.使用分貝(decibel)係因為:(A)使用方便(B)增加準確度(C)低功率(D)增加靈敏度
32.R-2R梯形網路D/A轉換器的優點是:(A)電路簡單(B)所需電阻數較少 (C)所需開關數目較少(D)只用兩種電阻
33.電晶體開關OFF時,電晶體相當於進入:(A)飽和區(B)工作區(C)截止區(D)崩潰區
34•如【圖16】電路所示,其矽質電晶體之射極偏壓VE約為何值? (A) 11.2 V(B) 12.3 V(C) 13 V(D) 13.2 V
35.變容二極體之電容,常用下列何者來調變?(A)反向電壓(B)順向電壓(C)順向電流(D)溫度
36.N通道增強型MOSFET的符號為:
37.某一N通道增強型MOSFET的VDS=4 V,元件參數K=0.5 mA/V2,臨界電壓VT=2 V,若元 件工作於夾止區且ID=2 mA,則VGS為多少?(A) -2 V(B) +2 V(C)
38.對於電晶體的三種基本組態而言,下列哪項敘述不正確?(A)共射極組態功率增益最大(B)共集極組態常作為阻抗匹配之用(C)共基極組態中輸出與輸入信號相位差180° (D)共集極組態電壓增益約為1
39.排除控制電路故障,最簡便之檢查儀表為何?(A)三用電表(B)電流表(C)電壓表(D)高阻計
40.下列措施,何者不能防止靜電對電子元件之破壞?(A)人員帶接地手環(B)穿平底膠鞋(C)使用離子吹風機 (D)桌面舖導電性桌墊
41.如【圖17】電路所示,若hfe=50,hie=lkΩ,hre及hoe略去不計,則電壓增益約為多少? (A)—50(B) -100(C) -150(D) -200
42.三用電表的+20dBm點,係在電壓刻度上的:(A) 7.75 V(B) 1 V(C) 0.775 V(D) 0.707 V
43.如【圖18】所示,運算放大器工作在線性狀態,輸出電壓V。應為: (A) 3.125 V(B) 4.75 V(C) 6.25 V(D) 7.5 V
2.將硼元素摻雜進純矽晶體中,則成為何種型式的半導體?(A) P 型(B) N 型(C) I 型(D) J 型
3.整個P型半導體是呈現?(A)負電性(B)正電性(C)電中性(D)視雜質原子序而定
4.半導體因溫度的關係造成共價鍵破壞,此時半導體會產生?(A)僅有自由電子 (B)僅有電洞(C)自由電子及電洞 (D)正負離子
5.如【圖1】電路,假設二極體為理想二極體,求V0=? (A)3V (B)6 V(C)9 V (D) 12 V
6.—個全波整流器其輸入弦波頻率為fs,整流後輸出信號的週期為:(A)4/fs(B)2/fs(C)l/fs(D)l/(2fs)
7.—個直流電壓源,電壓為24V,内阻為2Ω,滿載提供的電流為2A,此電源的電壓調整率為: (A) 10 %(B) 15 %(C) 20 %(D) 25 %
8.BJT電晶體的結構中,其「摻雜濃度最高」及「寬度最薄」的部份分別為:(A)射極;基極(B)集極;射極(C)集極;基極(D)射極;集極
9.下列有關BJT電晶體的敘述,何者錯誤?(A) PNP電晶體的少數載子為電子(B)NPN電晶體的少數載子為電洞(C) PNP電晶體的頻率響應特性優於NPN電晶體 (D)兩個接面偏壓(BE, BC )
10.欲使BIT電晶體能具線性放大的功用,則B-E接面及B-C接面應分別作何種偏壓?(A)B-E接面順向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (B)B-E接面逆向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (C)B-E接面逆向
11•下列有關BJT電晶體三種組態:共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)的特性,何者錯誤? (A) CB的電壓增益最大(B) CE的功率增益最大(C) CC的輸入阻抗最高(D) CB的輸出阻
12. 一個共射極組態的BJT電晶體於飽和區工作時,會滿足下列何種條件?(A) (B) (C)VCE = 0(D) Ic=0