25.如【圖 25】所示的電路,為由齊納二極體(Zener Diode)所構成的齊納穩壓器。若齊納二極體的 VZ=5V,電源 V=10V,R=1kΩ,RL=2.5kΩ,則流經齊納二極體的電流 IZ大約
33.一個 NMOSFET,其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt=1V。當輸出端的電壓 VDS=2V 時,其汲極飽和電流 ID=1mA。則當 VDS增至 4V 時,其汲極飽和電流 ID
34.在【圖 34】的電路,NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V。電流源 I=1mA,VDD=5V,若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode)
35.在【圖 35】的共源(CS)放大器,設 NMOS 電晶體操作在飽和模式(偏壓電路略去未顯示),其臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V,爾利電壓(Early Voltage)V
39.藉由何種組態的負回授,可以構成一電流放大器(Current Amplifer)?(A)並聯-並聯(Shunt-shunt) (B)並聯-串聯(Shunt-series)(C)串聯-並聯(Seri
11.有一 N 通道 JFET,其 IDSS =10 mA,VGS(OFF) = -4 V,若 VGS = -2 V 則汲極電流 ID 為何?(A) 5.2 mA (B) 4.2 mA (C) 3.6
36.如【圖 36】所示為一簡化的共源(CS)放大器(其偏壓電路略去未繪示),其中 Rsig 為輸入訊號源的內阻。電阻Rsig對此 CS 放大器的中頻電壓增益 AM 及對高 3-dB 頻率 fH 的影