21. 有一個N通道JFET,若IDSS = 12 mA,VGS(OFF) = VP = -4 V,則VGS = -2 V時的ID電流值為何?(A) 6 mA(B) 3 mA(C) 2 mA(D) 0
22. 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT = -2 V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲
24. 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為Vi1 = 55 μV,Vi2 = 45 μV,共模拒斥比CMRR(dB) = 40 dB,差模增益 Ad = 500,則下列何者正確?(A)共模增益AC =
29. 如右圖所示,Vi = 20 V,稽納二極體(Zener Diode)的崩潰電壓Vz = 10 V,R1 = 1 kΩ,R2 = 2 kΩ,則輸出電壓值Vo為何? (A) 5 V(B) 10 V
30. 如右圖所示,Vi = 20 V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓Vz = 8 V,R1 = 1 kΩ,R2 = 2 kΩ,則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率 為
31. 如右圖所示,Vi = 10 V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓Vz = 8 V,R1 = 1 kΩ,R2 = 2 kΩ,則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率 為
35. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(operating point)落在下列哪種區域內,可獲得較佳之放大倍率?(A)作用區(active region)內(