45. 如右圖所示，R1 = R2 = R3 = 100 kΩ，RA = 10 kΩ，若欲設計輸出電壓 VO = V1 + V2 + V3 ，則 RB 為何？ (A) 5 kΩ (B) 10 kΩ(C
46. 如右圖所示，若電晶體保持在主動區工作，當提高 RC值而 VCC 及 RB 值保持不變，則下列敘述何者正確？ (A)工作點不變(B)工作點朝飽和區反方向移動(C)基極電流增加(D)工作點朝飽和區
48. 如右圖所示，此曲線為下列何種場效電晶體的ID－VGS 特性曲線？(VT為臨界電壓) (A) N通道JFET(B) N通道空乏型MOSFET(C) P通道增強型MOSFET(D) N通道增強型M
49. 某一N通道JFET的汲極飽和電流 IDSS = 16 mA，汲極電流 ID = 4 mA，若截止電壓 VGS(off)為 - 3 V，則閘源極電壓 VGS 為何？(A) - 2.5 V (B)
50. 如右圖所示，若 ID = 2 mA，RD = 5 kΩ，RS = 1 kΩ，RG = 1 MΩ，則 VD 與 VGS (VGS = VG− VS)分別為何？ (A) - 5 V， - 2 V(
9. 電晶體偏壓時，若將集極與射極對調，使得基極對射極接面為逆向偏壓，而基極對集極接面為順向偏壓，則有關電晶體之敘述，下列何者正確？(A)耐壓降低，增益提高 (B)耐壓提高，增益降低(C)耐壓及增益皆
11. 若NPN電晶體應用於工作區，則有關電晶體偏壓情形，下列敘述何者正確？(A) B-E極加順偏，B-C極加逆偏 (B) B-E極加順偏，B-C極加順偏(C) B-E極加逆偏，B-C極加逆偏 (D)
13. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者有誤？( 為閘極至源極之電壓)(A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在(B)空乏型N通道MOSFET其 可接負電壓或正電壓(C)增強型P
14. 有關場效電晶體，下列敘述何者有誤？( 為汲極電流， 為閘極電流)(A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體(B)場效電晶體的主要型式有接面場效應(JFET)、空乏型MOSFET、增強型MOSF