44. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數gm = 1.5 mU，rd = 10 kΩ，已知電路中不存在源極 電阻RS，而汲極電阻RD= 10 kΩ，請問該電路之電壓增益AV為何？(A) -3
45. 下列敘述，何者有誤？(A)MOSFET電晶體為單極性(unipolar)電晶體(B)BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的
48. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振盪器，若R1 = 4 kΩ，R2 =1 kΩ，R4 = 10 kΩ，C1 = 0.1 μF，C2 = 0.4 μF，請問R3之電阻值
49. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振盪器，若R1 = 4 kΩ，R2 =1 kΩ，R4 = 10 kΩ，C1 = 0.1 μF，C2 = 0.4 μF，該電路之電壓增益
50. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振盪器，若R1 = 4 kΩ，R2 =1 kΩ，R4 = 10 kΩ，C1 = 0.1 μF，C2 = 0.4 μF，該電路之回授量β
1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄(B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導
7. 有一差動放大器之共模拒斥比(CMRR)值為 40 dB，若差動增益為1000，則當輸入為1.001 V、0.999 V 時，輸出值Vo為何？(A)6V(B)8 V (C) 10 V (D) 12
11. 如右圖所示，兩個MOSFET之寬長W/L比為(W/L)1 = 4(W/L)2，設MOSFET導通的臨界電壓Vt1 = Vt2 = 2 V，則V0值為何？(A) 2 V (B) 4 V(C) 6