問題詳情

1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？
(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄
(B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體
(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體
(D) N型半導體中的多數載子為電洞

參考答案

答案：B
難度：適中0.5
統計：A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)

用户評論

【蘇su】評論

(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N型的電子跑到外加電場的+端，P型的電洞跑到外加電場的-端→在PN接面附近：N型的留下更多(比起沒加電場時)正離子，P型留下更多負離子 →空乏區變大→(A)錯誤(B)(C)參雜5價元素(磷、銻等):N型，3價元素(硼、銦等):P型→(B)正確、(C)錯誤(D)N型多數載子為電子，原因如上:參雜5價元素詳情可參考電子學課本或WIKI百科，https://zh.wikipedia.org/wiki/PN结