【評論主題】1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄(B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導
【評論內容】
(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N型的電子跑到外加電場的+端，P型的電洞跑到外加電場的-端→在PN接面附近：N型的留下更多(比起沒加電場時)正離子，P型留下更多負離子 →空乏區變大→(A)錯誤
(B)(C)參雜5價元素(磷、銻等):N型，3價元素(硼、銦等):P型→(B)正確、(C)錯誤
(D)N型多數載子為電子，原因如上:參雜5價元素
詳情可參考電子學課本或WIKI百科，https://zh.wikipedia.org/wiki/PN结
【評論主題】【題組】27. 接續上題，功率(W2)的值為何？ (A) -50W (B) -100W (C) -120W(D) 以上皆非。
【評論內容】題目矛盾，W2 從左邊看的電壓差=-5V 功率=-50w，從右邊看則是-20V 功率=-200w
【評論主題】5. 有關焦耳定律，當電流流過導體時，所生熱量之敍述何者有誤？(A)熱量與電流成正比 (B) 熱量與電阻成正比 (C) 熱量與時間成正比 (D) 以上皆正確。
【評論內容】
如果一時想不到完整的公式，可以這樣思考:
1. 熱量=功率*時間 ， 2. 功率=電流^2*電阻
【評論主題】1.三相六極感應電動機當電源為60Hz，轉差率為0.05時，則其轉子轉速為多少rpm？(A) 1200(B) 1160(C) 1140(D) 1800
【評論內容】
60/3=20Hz, 20*60(sec)=1200rpm, 1200*0.95=1140rpm
【評論主題】1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄(B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導
【評論內容】
(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N型的電子跑到外加電場的+端，P型的電洞跑到外加電場的-端→在PN接面附近：N型的留下更多(比起沒加電場時)正離子，P型留下更多負離子 →空乏區變大→(A)錯誤
(B)(C)參雜5價元素(磷、銻等):N型，3價元素(硼、銦等):P型→(B)正確、(C)錯誤
(D)N型多數載子為電子，原因如上:參雜5價元素
詳情可參考電子學課本或WIKI百科，https://zh.wikipedia.org/wiki/PN结
【評論主題】【題組】27. 接續上題，功率(W2)的值為何？ (A) -50W (B) -100W (C) -120W(D) 以上皆非。
【評論內容】題目矛盾，W2 從左邊看的電壓差=-5V 功率=-50w，從右邊看則是-20V 功率=-200w
【評論主題】5. 有關焦耳定律，當電流流過導體時，所生熱量之敍述何者有誤？(A)熱量與電流成正比 (B) 熱量與電阻成正比 (C) 熱量與時間成正比 (D) 以上皆正確。
【評論內容】
如果一時想不到完整的公式，可以這樣思考:
1. 熱量=功率*時間 ， 2. 功率=電流^2*電阻
【評論主題】13. 將三個 3V 的電壓源相並聯，再同時與 3Ω、4Ω、12Ω並聯，其總功率為何？ (A) 12W (B) 6W (C) 3W (D) 1W。
【評論內容】
理想電壓源是不論電流流過大小，依然保持著他的電壓值
電壓相同的理想電壓源並聯時，兩邊都互相想往對方流超大的電流，而且2邊超大的電流會相等(因為2邊條件一模一樣)電流一正一反那就是=0 (重疊定理)，所以理想上不會有互相短路的問題
【評論主題】1.三相六極感應電動機當電源為60Hz，轉差率為0.05時，則其轉子轉速為多少rpm？(A) 1200(B) 1160(C) 1140(D) 1800
【評論內容】
60/3=20Hz, 20*60(sec)=1200rpm, 1200*0.95=1140rpm
【評論主題】32. 如圖 9 為 T 正反器所組成的電路，若輸入端加 1MHz 的方波，則輸出 Q3 端的信號頻率為多少？ (A)10kHz (B)64kHz (C)100kHz (D)128kHz
【評論內容】
所有狀態畫出來後，得知此電路為除10計數器
Q3 的週期=Q0的1/10倍=1M/10=100kHz