11下列有關PN接面二極體的敘述,何者有誤?(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高(B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄(C)溫度上升時,障壁電壓上升(D)溫度上升時
12下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓?(A)光二極體(photo diode)(B)稽納二極體(Zener diode)(C)變容二極體(varactor)(D)蕭基二極體(Schottky di
15下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述,何者有誤?(A)共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器(B)共射極組態之輸入與輸出信號位差180度(C)共基極組態放大電路的高頻響應最佳(D)共射極組態具有電
17如右圖所示之電路,假設雙極性接面電晶體的β=100,VBE =0.7 V ,則在工作點Q上所對應之電壓VCE 值應為多少? (A)7.56V、(B)8.84V、(C)9.2V、(D)10.69
27. N通道加強型MOSFET 的閘-源電壓VGS應如何才能使汲極電流ID導通?(V T 為臨界電壓)(A).VGS >0, VGS < VT、 (B).VGS <0, VGS > VT、 (C).