28.下列有關半導體工業的敘述，何者正確？ (A)積體電路一般稱為 PC (B)矽半導體材料導電性會隨溫度變化而改變 (C)導電性材料加入 50%非導電性材料後可成為半導性材料 (D)目前最常用的半導
26. 對於一個矽晶圓參雜硼原子的半導體的敘述，下列何者是正確的？(A) 這是一種 p-型的半導體(B) 這是一種藉由摻雜較矽原子多電子數之原子而產生的半導體(C) 這是一種藉由摻雜較矽的原子多質子數
31 對於一個矽晶圓參雜硼原子的半導體的敘述，下列何者是正確的？(A)這是一種 p-型的半導體(B)這是一種藉由摻雜較矽原子多電子數之原子而產生的半導體(C)這是一種藉由摻雜較矽原子多質子數之原子而產
二、⑴對於一工作於逆向偏壓的蕭特基二極體（Schottky Diode），若蕭特基二極體的半導體為 n 型，請問負電極是接在金屬邊或 n 型半導體邊？若蕭特基二極體的半導體為 p 型，請問負電極是接在
1 今對純矽（Si）晶體材料均勻摻雜磷（P）元素，則此矽半導體應屬於那一類的半導體？(A)外質（Extrinsic）半導體 (B)P型半導體(C)本質（Intrinsic）半導體 (D)二元化合物（B
27. 在 2004 - 2005 年半導體製造技術領先的半導體公司，如:Intel、AMD、IBM 和台積電相繼量產奈米級晶片，讓當時的電腦工作頻率來到了 2GHz，而第一個被稱為奈米晶片的半導體製
17.下列有關半導體的敘述，哪些正確？(A)不含雜質的純半導體材料，其電子、電洞的密度相同(B)純的半導體材料溫度越高時，電子、電洞的密度越大(C)矽半導體加入5價雜質，會形成P型半導體(D)二極體的
7.下列關於半導體的敘述，何者錯誤？(A)半導體是導電能力介於導體與絕緣體間的一種材料(B)半導體大多以矽、鍺、砷化鎵等為基本原料(C)室溫下的半導體導電能力比0℃下強，所以盡量提升半導體的溫度可增加
65 關於半導體偵測器，下列敘述何者正確？(A)半導體的 W 值約為空氣的 W 值之 10 倍(B)p-type 的半導體有過量的電子(C)半導體中摻入硼則成為 n-type(D)要產生空乏區（dep
三、【題組】⑴在離子佈植過程中，由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部，造成半導體晶格（lattice）受到損傷（damage），通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱處理。請說明使用快速熱處理（Rap
【題組】44.半導體的生產可以分成設計、光罩、晶圓製造、封裝、測試與行銷等，在臺灣大部分的半導體公司都只是專業化其中的一個部分的功能，這是指臺灣半導體具有何種產業組織的特色？ (A)垂直整合 (B)垂
四、甲為半導體專家，經過多年的努力，研發出全新的半導體製程，並且擁有多項專利，A 股份有限公司有意向甲購買該半導體製程與專利，甲同意 A 股份有限公司以其所發行百分之十五的股份購買，其中百分之十的股份
2. 下列敘述何者不正確？ (A)在摻有銻(Sb)的半導體中，Sb 扮演的角色是施體(Donor) (B)在 P型半導體中之多數載子(Majority Carrier)為電洞 (C)將磷(P)或砷(A
【題組】47.加州矽谷(Silicon Valley)是由許多城市所組合而成，其位於舊金山南郊的一條長48公里，寬16公里的長條形地帶上。由於此處集中了全美國96％的半導體公司，而半導體的基本元件是矽
2有關矽二極體材料之敘述，下列何者錯誤？(A)施體（Donor）雜質具有 5 個價電子 (B)經過摻雜（Doping）處理的半導體稱為本質（Intrinsic）半導體 (C) N 型材料的多數載子是電
【題組】40)加州矽谷(Silicon Valley)是由許多城市所組合而成，其位於舊金山南郊的一條長48公里，寬16公里的長條形地帶上。由於此處集中了全美國96％的半導體公司，而半導體的基本元件是矽
54.「回溯 1980 年代，日本掌握了世界 53%的半導體市場，也連續 7 年維持世界領先的地位。但是到了 1990 年代，日本在半導體市場一蹶不振；以生產記憶體起家的後起之秀──韓國卻異軍崛起、後
11.美國矽谷(Silicon Valley)是由許多城市所組合而成，其位於〇城市南郊的一條長48公里，寬16公里的長條形地帶上。由於此處集中了全美國96％的半導體公司，而半導體的基本元件是矽片，所以
二、題組題(10 題，每小題 2 分，共計 20 分) 1.「民國 87 年，國內最大的半導體製造廠商台灣積體電路，在美國投資設立半導體 製造廠，它的設廠地點不在著名的高科技集中區加州矽谷，而在矽谷北
23. 電動車馬達驅動硬體上多半使用橋式電路(Bridge Circuits)，下列哪一個不是該橋式電路上下臂開關的半導體元件？(A)金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semicon