【評論主題】五、計算一理想 MOS 電容的臨限電壓(threshold voltage)VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體,設金屬的功函數 qΦm = 4.1 eV,p 型矽半導體的濃度為 Na
【評論內容】現在刑法不是已經沒有再用心神喪失這詞了嗎?
【評論主題】61.基礎學校係屬何國之初等教育學校(A)德國(B)法國(C)美國(D)英國。
【評論內容】我餓了!
【評論主題】45. 判斷學生是否為學習障礙的另一指標是個人的「內在能力有顯著差異」,是指個人((A)各項學業技能 (B)學習潛能與實際成就 (C)多種學科領域 (D)各科成績)間有嚴重差異。
【評論內容】
甘溫
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