問題詳情
五、計算一理想 MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體，設金屬的功函數 qΦm = 4.1 eV，p 型矽半導體的濃度為 Na = 3 × 1016 cm −3 ，矽的電子親和力（electron affinity）qX = 4.05 eV，矽的能隙寬 Eg = 1.12 eV，價電帶 電洞的有效狀態密度 Nv = 1.04 × 1019 cm-3 ，氧化層的厚度 tox = 600 Å，氧化層的介電 係數
= 3.9 × 8.85 × 10-14 F/cm，矽的介電係數
= 11.7 × 8.85 × 10 -14F/cm，熱電壓Vt = kT/q = 0.0259 V。（20 分）
參考答案
答案：B
難度：簡單0.854746
統計：A(104),B(2089),C(154),D(97),E(0) #
個人：尚未作答書單：責任能力
用户評論
【用戶】Dora Yang
【年級】高二下
【評論內容】A.C.D是得減輕其刑C是說耗弱,代表精神顯著減低,並非都喪失所以C仍然有部份的責任能力
【用戶】馬巧伶
【年級】高二下
【評論內容】現在刑法不是已經沒有再用心神喪失這詞了嗎？
【用戶】林志宏
【年級】大二下
【評論內容】立法/修正理由】 一、原條文第一項「心神喪失」與第二項「精神耗弱」之用語，學說及實務見解，均認其等同於「無責任能力」與「限制責任能力」之概念。行為人不能辨識其行為違法之能力或辨識之能力顯著減低之情形，例如，重度智障者。對於殺人行為完全無法明瞭或難以明瞭其係法所禁止；行為人依其辨識違法而行為之能力欠缺或顯著減低之情形，例如，患有被害妄想症之行為人，雖知殺人為法所不許，但因被害妄想，而無法控制或難以控制而殺害被害人。爰仿德國立法例，將原第一項、第二項之規定，予以修正。
【用戶】mnn5478
【年級】小一下
【評論內容】行為時因精神障礙或心智缺陷..云云