【評論主題】五、計算一理想 MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體，設金屬的功函數 qΦm = 4.1 eV，p 型矽半導體的濃度為 Na

【評論內容】

A.C.D是得減輕其刑

C是說耗弱,代表精神顯著減低,並非都喪失

所以C仍然有部份的責任能力