問題詳情

5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓

的波形如下所示，

，假設兩個電晶體

的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為 |Vth| = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即

。試研判電晶體 QP 在時間 t1 最可能的工作模式？


(A)飽和模式（Saturation mode）
(B)線性模式（Linear mode）
(C)次臨界模式（Subthreshold mode） 
(D)截止模式（Cut-off mode）

參考答案

答案：A
難度：適中0.44
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用户評論

【林敬昆】評論

t1=4V -> QP,QN都turn on ->Vo低電位, 所以QP飽和模式