【評論主題】35.量測三相三線不平衡電路之實功率時，最少需要幾個單相瓦時計？(A) 1 個 (B) 2 個(C) 3 個 (D) 4 個
【評論內容】三線段接A B C接兩瓦時計a ba瓦時計電壓跨接A C 電流測A線電流b瓦時計電壓跨接B C 電流測B線電流兩向位差120 當B線相位如為180 則A C相位角剛好正負60可得三向實功=兩瓦時計瓦數和三向虛功=1.72*兩瓦時計瓦數差
【評論主題】16. 使用兩瓦特表測量三相平衡負載，若兩瓦特表讀值分別為5kW與10kW，則此負載功率因數為何？(A) (B) (C) (D) 1
【評論內容】瓦特表三相(P=1.72VIcosX)實功率為兩者相加 -->>IVcos(30+x)+IVcos(30-x)=2*IV*cos30*cosx=1.72*IVcosx=P虛功率為兩者相減 乘1.72-->>IVcos(30+x)-IVcos(30-x)=2*IV*sin30*sinx=IVsinx=Q/1.72P=15Q=5*1.72可知角度30 -->PF=cos30
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
KCL
(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
KCL
(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】35.量測三相三線不平衡電路之實功率時，最少需要幾個單相瓦時計？(A) 1 個 (B) 2 個(C) 3 個 (D) 4 個
【評論內容】三線段接A B C接兩瓦時計a ba瓦時計電壓跨接A C 電流測A線電流b瓦時計電壓跨接B C 電流測B線電流兩向位差120 當B線相位如為180 則A C相位角剛好正負60可得三向實功=兩瓦時計瓦數和三向虛功=1.72*兩瓦時計瓦數差
【評論主題】16. 使用兩瓦特表測量三相平衡負載，若兩瓦特表讀值分別為5kW與10kW，則此負載功率因數為何？(A) (B) (C) (D) 1
【評論內容】瓦特表三相(P=1.72VIcosX)實功率為兩者相加 -->>IVcos(30+x)+IVcos(30-x)=2*IV*cos30*cosx=1.72*IVcosx=P虛功率為兩者相減 乘1.72-->>IVcos(30+x)-IVcos(30-x)=2*IV*sin30*sinx=IVsinx=Q/1.72P=15Q=5*1.72可知角度30 -->PF=cos30
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
KCL
(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
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RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
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RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
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RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
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崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
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崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
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崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
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崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
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崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
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(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
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【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
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(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
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(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
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(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
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(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】40 如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且 3 dB 頻率為 7.07 × 105 rad/s，當電阻 R 為5kΩ 時， 所需的電容 C 值為何？ (A)100 pF (B)200 pF
【評論內容】最大平坦度->低通butterwo☆☆☆ ...
【評論主題】28 對於一共源極放大器的特性，下列敘述何者錯誤？(A)電壓增益正比於負載電阻 (B)電壓增益正比於轉導 (C)輸出與輸入訊號同相 (D)輸入阻抗可極大
【評論內容】
CS組態所以是MOS ,Ig=0 ,理想輸入阻抗無限大
增益Av~=-gm*(RL//ro)
ID暫態電流=ID偏置電流+CDG暫態電容電流
ID偏置電流固定 所以d(VDG)/dt正比於ID暫態電流 也正比於輸出電壓Vo
-> Vi與Vo反向關係
【評論主題】25 於 BJT 的小訊號模型中，下列敘述何者錯誤？(A)轉導 與集極電流成正比 (B)輸出電阻 與集極電流成正比 (C)輸入電阻 與電流增益(β)成正比 (D)輸入電阻 與基極電流成反比
【評論內容】
GM=IC/VT
IC=Beta*IB
Ro=(VA+VCE)/IC
Rpi=VT/IB=Beta*Vt/IC=Beta*1/GM
【評論主題】24 如圖所示之回授偏壓共源極放大器之增益（ ）為何？假設汲極電流 ，MOSFET 的。 (A)-3 (B)-4 (C)-5 (D)-6
【評論內容】
小訊號分析 看RO->2V GND ,Vi GND
MOS理想 RDS無限大->RO=1K//1M~=1K
MOS IG=0, Vo=Vi=2-1*1m=1V
->得gm=4m
CD組態 Av=-gm*RO=-4
【評論主題】23 如圖所示之放大器電路，假設此電路之直流偏壓電流為 1 mA，電晶體 M1 與 M2 之參數如下： ， 且 ；求此放大器電路之小信號輸出電阻 之值為何？ (A) 619 Ω (B) 719 Ω
【評論內容】
逆推出解法了 以下為解
上方MOS電阻 為CD組態 =>Ro2=(1/gm2)//ro2
下方為CS組態=>Ro1=ro1
ro1和ro2都接近1/(lambda*id)=10K
回推gm2 忽略lambda項約等於(2^1/2)*10^-3
Ro2=1/((2^1/2)*10^-3+1/10k)=660.4歐姆
Ro1=10K
Ro1//Ro2=619.4歐姆
兩種方法 M1 M2阻抗為何各差十倍左右我就不知道原因了
【評論主題】23 如圖所示之放大器電路，假設此電路之直流偏壓電流為 1 mA，電晶體 M1 與 M2 之參數如下： ， 且 ；求此放大器電路之小信號輸出電阻 之值為何？ (A) 619 Ω (B) 719 Ω
【評論內容】
我是用牛頓近似法..... 建議其他寫完再回來按計算機 如果有寫錯歡迎糾正
上方是一MOS電阻 VDS=VGS=Vov+VT
下方是CE組態MOS 因為有設置直流偏流 所以VGS-VT=Vov=VDS
依照公式反算兩顆Mos Vds電壓 ,其除上直流偏流為MOS的Ro,交流分析M1和M2的是並聯關係
M1->
1m=1/2*200u*10/1*(Vov)^2*(1+0.1*Vov) ,牛頓法Vov=0.9554
Ro1=0.9554/1m=955.4歐姆
M2->
1m=1/2*200u*5/1*(Vov)^2*(1+0.1*(Vov+0.4)) ,牛頓法Vov=1.707
Ro2=1.707/1m=1707歐姆
955.4//1707=612.6歐姆【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】26 如圖電感電路，若 L1=3 亨利（H）、L2=5 亨利、M=1 亨利，若通以 10 安培電流，則總電感儲能為多少焦耳？ (A) 300 (B) 400 (C) 500 (D) 600
【評論內容】
1/2*(3+5+2)*10^2=500J
【評論主題】12 如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體 的基極電阻 、射極電阻 、轉導 、共基極電流增益 α 和共射極電流增益 β 均相同，試求輸入阻抗 = ？ (A) (B) (C) (D)
【評論內容】
pi模型,輸入跨壓通過Q1 Q2的Rpi 阻抗為兩者串聯
【評論主題】20 如圖所示之電路，求電阻 R 之最大功率值約為何？ (A) 18.36 W (B) 16.38 W (C) 14.38 W (D) 13.68 W
【評論內容】左邊轉諾頓 7.5A 2歐姆並聯
【評論主題】19 如圖所示之電路，求電阻 可獲得之最大功率為幾瓦特？ (A)2 (B)4 (C)6 (D)8
【評論內容】
Rth=12//6=4歐姆
Voc=24*6/(12+6)=8V
Voc^2/4*Rth=8*8/4*4=4W
【評論主題】18 如圖所示電路，求 AB 兩端之等效電阻值為何？ (A) 1.5 歐姆 (B) 2.5 歐姆 (C) 3.75 歐姆 (D) 4.75 歐姆
【評論內容】
平衡電橋問題 4歐姆 10歐姆電流歸零直接開路
【評論主題】17 如圖所示之多電源電路，若將左圖電路轉換成右圖電路，下列敘述何者正確？ (A) (B) (C) R=24 Ω (D) R=12 Ω
【評論內容】
72V 24歐姆轉諾頓->3A 24歐姆並聯 ,Vab斷開
左邊多並12A ->諾頓電流Isc=12+3=15A
Rth=(24//12)=8歐姆
Voc=15*(24//12)=120V
【評論主題】16 如圖所示之電路，求 為多少伏特（V）？ (A)8 (B) 12 (C) 16 (D) 20
【評論內容】
重疊定理
2A:
Rth=12//(8+4)//6=3歐
電流反向
Vo=(-2)*3=-6V
1A:
Vo沒有壓在1A兩端上 轉戴維寧
1A跨阻 8//(4+12//6)=4歐姆
Voc=1*4=4V
分壓定理:
Vo=(4*12//6)/(4+12//6)=2V
40V:
分壓定理
Vo=40*6/((12//12)+6)=20V
20-6+2=16V
【評論主題】15 如圖所示之電路，節點 a 的電壓值 Va 為何？ (A)2V (B) 3.5 V (C) 12 V (D) 24 V
【評論內容】
拔6歐姆 用戴維寧
8V 電源Voc=8V
8A電流Voc=(8*4/9)*2=64/9V
Rth=2//(3+4)=14/9歐姆
->掛上6歐姆 分壓定理
((8+64/9)*6)/(14/9+6)=12V
【評論主題】5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 的波形如下所示， ，假設兩個電晶體 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕
【評論內容】
t1=4V -> QP,QN都turn on ->Vo低電位, 所以QP飽和模式
【評論主題】20.電路中有一個變壓器，已知變壓器的一次線圈繞有100匝，二次線圈繞有10匝；在二次線圈連接一個10Ω的負載電阻，測量到0.5 A的電流，則一次線圈的電流為多少安培？(A) 0.005 A (B)
【評論內容】依題意 假設變壓器理想 P=IV 轉換率100%下 兩側電.....看完整詳解
【評論主題】13.【圖13】為信號源阻抗Rs=1 kΩ，Ro = 4kΩ，轉導放大器輸入阻抗Ri=1 kΩ，轉導增益 =2 mA/V，則Vo/Vs=？ (A) -4 (B) 4 (C) -8 (D) 8
【評論內容】
Vo=-GM*Vs*Ri/(Ri+Rs)*Ro=-4Vs
【評論主題】40 鄭成功、鄭經父子長年抗清，與清國議和、談判十多次，1654 年第二次議和時，鄭成功以「兵馬繁多，非數省不足安插，和則高麗、朝鮮有例在焉」為由，要清國割數省之地，並仿中國、朝鮮之例，定位 雙邊關係
【評論內容】
不理解B為何是對的，他說與福建仍保持通商關係，應該是要"維持"貿易狀態，可是上文沒說鄭成功那時就有通商關係啊?
【評論主題】31 如圖電路，設電晶體之 β = 100， ＝50 kΩ，I＝1 mA， ＝3 V。若要使電晶體維持工作在主動模式（Active-mode）而不進入飽和模式（Saturation-mode） ，
【評論內容】
ib=beta*Ic~=beta*Ie=(0-VB)/50K
VB=-1m*50K/100=-0.5V
主動區交界 VBE=0.7V ,VCE=0.2V
VE=-1.2V VC=-1V
Rc~=(3-(-1))/1m=4K歐
【評論主題】10 一個 NMOS 電晶體，其臨界電壓 = 0.5 V。當輸入端電壓 = 1.5 V 時之汲極飽和電流 = 1 mA，則當 增為 2.5 V 時其汲極飽和電流 約為多大？ (A) 1 mA
【評論內容】
ID正比Vov平方
VT=0.5 VGS=1.5 Vov=(1.5-0.5) ID=1mA
->VGS=2.5 Vov=(2.5-0.5) ID=4mA
【評論主題】5 如圖所示之理想放大器電路，求 。 (A)0 (B)-5 (C)-6 (D)5
【評論內容】
你上面的圖是Vi+接OPA+ Vi-接OPA-，本身就不對，他的圖是OPA+和OPA-都上Vi+，R忽略我看不懂是說什麼
依理想OPA算法OPA+=OPA-=5/6*Vi，負回授電流為1/6*Vi/R，那Vo=Vi-(1/6*Vi/R)*6R=0V
Vo/Vi=0/Vi=0
【評論主題】5 如圖所示之理想放大器電路，求 。 (A)0 (B)-5 (C)-6 (D)5
【評論內容】
Vi直接拉到V+和V-上，所以V+=V-=Vi，負回授電路上方I值固定且阻抗排列和V+端一樣，表示壓降也都一樣 所以Vo=0V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
KCL
(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠
【評論主題】1 一個 N 通道 MOSFET 元件，其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成？(A) N-井區 (B) P-井區 (C) N+區 (D) P+區
【評論內容】
??? 不太理解，參雜是將原子替換 N型(Negedge type)只是將 5A族元素替代矽，因為會與周圍矽形成四個共價(外圍電子8個放滿)，所以未導通時原先外圍的一顆電子會直接放出形成電中性，但其在導通時會希望從旁抓電子形成原子狀態，所以參雜越多會容易從電源處抓載子，也就是越接近金屬狀態，越低則反，後面的正負只代表參雜物數量多寡而已(N+、N、N-/P+、P、P-)，和參雜3A或5A無關。
【評論主題】1 一個 N 通道 MOSFET 元件，其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成？(A) N-井區 (B) P-井區 (C) N+區 (D) P+區
【評論內容】
就我理解，井區正負代表參雜濃度，參雜少代表阻抗大，高則阻抗小，如果是A那代表source井區不容易導通，那就不太OK，就和BJT會希望射極E端不要有太多阻力將他濃度拉高一樣意思。
【評論主題】39. 如下圖所示之放大器，若 R1 = 100 kΩ，R2 = 10 kΩ，R = 100 kΩ，求由A端看入之輸入電阻 為何？ (A) 1 MΩ(B) -1 MΩ(C) 2 MΩ(D) -2 MΩ
【評論內容】放大器Vi=V+=V-Vo=Vi*(R1+R2)/R1KCLIi=(Vi-Vo)/R->Vo=Vi-IiR帶入公式 Vo.....看完整詳解
【評論主題】26 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為 ，R1=1.5 kΩ、R2=50 kΩ，該放大電路的輸入直流電流 約為多少？ (A) 0.02 mA(B) 0.06 mA(C) 0.08 mA
【評論內容】
題義裡上圖已知BJT曲線 VBE 0.5前截止 0.5~0.7飽和 0.7以上工作 所以VBB=1.6會使BJT的B端在工作區
該電路依KCL 直接求VBB 和BJT B端的電流
->IB=(1.6-0.7)/50K
得IB=0.018mA
【評論主題】37 一個 10 kW 的電感性負載在 120 V/60 Hz 之下的功率因數為 0.8。下列何者正確？(A)量得的電流為 83.3 A(B)提高頻率時，電流會下降(C)此負載的視在功率（appare
【評論內容】
負載10KW 功因0.8->可視功率10K/0.8=12.5KVA
電流為12.5K/120=104.2A
題意說為電感負載 所以負載主成分為電感-> 主要阻抗為電抗(2jwL)->當頻率上升時電抗上升 所以電流會下降
視在功率為12.5KVA
虛功率為12.5KVA*0.6=7.5Kvar
【評論主題】33 平衡三相系統之 A 相線電流為 iA = 10sinωt + 5sin3ωt 安培，B 相線電流之表示式為下列何者？(A) iB = 10sin(ωt-120° ) + 5sin(3ωt -12
【評論內容】
考諧波與平衡三相關係
B因為振幅不對所以刪去
3次倍諧波為零序諧波 不會加相位(從中性線上看 三相相位皆為120度的倍數 乘三剛好等於1、2、3圈 所以相位不動)
AC 相位不對所以刪去
而低頻主波會差120度轉另外一個 滿足條件的為D
【評論主題】20 如圖所示，iy為電流控制的電流源。求由 a、b 兩端視入的戴維寧等效電阻為何？ (A) (1/2) R(B) (3/2) R(C) 3 R(D) (6/5) R
【評論內容】
左側轉戴維寧電壓設V 3R歐姆路徑遵守KCL
Voc時 b點R電流0不工作
Voc=3/(3+1)V
Isc時連上ab 3R歐姆並聯短路ab不工作 右側相依電源 電流0斷開
Isc=V/2
Rth=Voc/Isc=(3V/4)/(V/2)=3/2
單位R歐姆->3/2R
【評論主題】14 運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為：(A)二極體 (B)電感器 (C)電容器 (D)電阻器
【評論內容】
有人可以解釋一下為什麼這種的不行嗎? 回授元件為電感不是一樣功能嗎?
【評論主題】40 如圖電路，已知 R = 10 kΩ 和 C = 0.01 μF，輸入為±5 V 對稱方波，為使輸出三角波電壓具對稱且振幅亦為±5 V，則信號頻率應選在多少？ (A)1.00 kHz (B)1.
【評論內容】
方波一周期 輸出三角波電壓具對稱且振幅+-VDD
-> 電容2次完整充放:
(1)0->VDD ;(2)VDD->0 ;(3)0->-VDD ;(4) -VDD->0;
->週期4*T=4*RC=4*10^-4
f=1/T->2.5KHz
【評論主題】40 一個負載由電容與電阻並聯組成，在120 V/60 Hz 的電源下量測的虛功率為720 var。若將電源頻率降為50 Hz，虛功率變為何？ (A)500 var (B)600 var (C)720
【評論內容】題義並聯 R C 同壓 所以Q=Vc^2/Zc 60Hz 下720=Vc^2/Zc50H.....看完整詳解
【評論主題】38 如圖所示為一 MOS 放大器，MOS 電晶體之 。求小信號增益 vo/vi？ (A)−1 (B)−8 (C)−16 (D)−100
【評論內容】
Vo=-gm*Vi*1K
MOS 的gm在飽和區為ID對Vov微分
->gm=800u*40*Vov
直流分析 下方接一定電流源1mA 所以ID=1mA
逆推可得Vov=0.25V帶回上式
->gm=8
->Vo=-8Vi 選B
【評論主題】47.某一交流電路其 v(t)=100sin(1000t+10°) V，i(t)=10sin(1000t-50°) A，求電路的平均功率 P 為何？(A) 250W (B) (C) 500W (D)
【評論內容】
P=S*PF=S*cos(theta)
theta=|10-(-50)|=60
S=Vrms*Irms=(100*10)/2=500
500*cos(60)=250
【評論主題】18.有一電路如【圖 18】所示，則 VC=？ (A) 100V (B) 70V(C) 50V (D) 10V
【評論內容】
串聯 總I一樣 總阻為Z , Z=|R|+j( |L| - |C| )
100/|Z|=80/R
PF=R/|Z|=0.8
可知虛部 0.6 反推得知 |L - C| 差60V
L=10V , C=-50V or 70V
【評論主題】33 圖示電壓波形之平均值約為何？ (A) 70.72 V (B) 63.66 V (C) 54.32 V (D) 45.02 V
【評論內容】
cos(3pi/4)-cos(pi/4)=-(2^1/2)~=-1.414
abs(100*(-1.414))=141.4
141.4/pi=45.01V
【評論主題】4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k
【評論內容】
KCL
(10-6.8)/500=0.2m+6.8/RL
RL~=1096歐
崩壓固定 所以RL需大於1096歐 電流才足夠