【林敬昆】評論

我是用牛頓近似法..... 建議其他寫完再回來按計算機 如果有寫錯歡迎糾正上方是一MOS電阻 VDS=VGS=Vov+VT下方是CE組態MOS 因為有設置直流偏流 所以VGS-VT=Vov=VDS依照公式反算兩顆Mos Vds電壓 ,其除上直流偏流為MOS的Ro,交流分析M1和M2的是並聯關係M1->1m=1/2*200u*10/1*(Vov)^2*(1+0.1*Vov) ,牛頓法Vov=0.9554Ro1=0.9554/1m=955.4歐姆M2->1m=1/2*200u*5/1*(Vov)^2*(1+0.1*(Vov+0.4)) ,牛頓法Vov=1.707Ro2=1.707/1m=1707歐姆955.4//1707=612.6歐姆

【林敬昆】評論

逆推出解法了 以下為解上方MOS電阻 為CD組態 =>Ro2=(1/gm2)//ro2下方為CS組態=>Ro1=ro1ro1和ro2都接近1/(lambda*id)=10K回推gm2 忽略lambda項約等於(2^1/2)*10^-3Ro2=1/((2^1/2)*10^-3+1/10k)=660.4歐姆Ro1=10KRo1//Ro2=619.4歐姆兩種方法 M1 M2阻抗為何各差十倍左右我就不知道原因了