問題詳情

三、Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應：Si(s) + 2Cl2(g) → SiCl4(g)。若通入氯氣流量為 100 sccm，請問理論之 200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少？（Si atom weight: 28.09，Density: 2.329 g/cm3）（15 分）

參考答案

答案：D
難度：簡單0.807018
統計：A(88),B(36),C(19),D(598),E(0)

用户評論

【【站僕】摩檸Morning】評論

原本答案為A,修改為D

【Chihyu Fan】評論

請問D選項是要將<<教學前修正為<<考試前呢

【黃蕾】評論

D應該是效標參照測驗， 而非標準化測驗