問題詳情
三、今有一電路如圖(三甲)所示，VDD=VSS=10 V、I=0.5 mA、RG=4.7 MΩ、RD=15 kΩ、RL=30 kΩ；其中CC1、CC2、CS為耦合電容。已知此MOSFET的參數如下：Vt =1.5 V、kn=1.0 mA/V2、通道長度調變效應（channel length modulation effect）｜VA｜=75 V。
【題組】⑴試分析下圖MOS電路中各個節點的直流偏壓電壓VG、VS。註：在直流偏壓分析過程中可不考慮VA效應。（10 分）
參考答案
答案：A
難度：適中0.589641
統計：A(148),B(7),C(84),D(2),E(0)