資訊推薦

• 11. a, b, c, d, e, f, g七個字母排成一列，a, b不相鄰且c, d, e任二字母不相鄰，則其排列方法有__________種。
• 2.如圖 2 電路中若每個電阻R為 2Ω，則ab間的總電阻值為多少：（10％）
• 【題組】(c) Determine the planar packing fraction for the CDE planc. (4%)
• 2.【題組】 (a) Why the critical resolved shear stress in a BCC (body-centered cubic) metal ishigher than
• 【題組】(b) A single crystal of a BCC metal is oricnted such that the [120] direction is parallelto an a
• 【題組】(c) Is the (111) plane a possible slip plane in a BCC metals? Explain why. (3%)(6%)
• 3.【題組】 (a) During the solidification of pure metal, what are the two energics involved in thetransfo
• 【題組】(b) Write the equation for the total free-energy change involved in the solidificationof liquid
• 【題組】(c) Describe and explain the change of the two energies during solidificationtransformalion.(4%)
• 2. 把足量草酸鈉 (Na2C2O4)加入 25.00 mL 含鑭離子 ()的溶液中，產生草酸鑭 La2(C2O4)3沉澱，將此沉澱過濾，用水洗沉澱後溶解於酸，並用 0.04 M 過錳酸鉀標準液滴定，
• 76. 現有廣告內容宣稱「任選兩球不同口味冰淇淋的組合數超過 100 種」，那麼小美冰淇淋店最少需準備n 桶不同口味的冰淇淋才能滿足此廣告內容所宣稱的。當來此店的顧客想從這n 桶不同口味的冰淇淋中任選
• 77. 某競賽中有六支隊伍，每支隊伍均與其他隊伍比賽兩場。每場獲勝的隊伍可得3分、平手每隊各得1分、失敗的隊伍得0分。比賽結束後發現得分最高的三支隊伍其得分都相同，求得分最高的這三支隊伍，每隊得分最多
• 填充題第二部分： 1. 如圖，設△ABC 中，∠C =90 ° ，以 為邊向外各作正三角形△ABF 和△ACG，點 M 是 中點。若 = 11， = 7 ，則 的長度為_______ 。
• 【題組】(b) Design an observer (estimator) that reconstructs both states of pendulum givenmeasurements .
• 6.有關指標變數敘述，何者正確？(A)指標變數一定要與指向的變數具有相同的資料型態。(B)指標變數與一般變數皆可進行四則運算。(C)指標變數 p 指向變數 a，則程式指令為 p=*a。(D)指標變數可
• 7.下列關於 USB 敘述，何者正確？(A)可任意擴充，最多連接 127 個裝置。(B)USB3.0 共有 4 支接腳，並可相容 USB2.0(C)USB3.0 最大傳輸距離為 10 公尺(D)採並列
• 8.一記憶體(RAM)其大小為 2K*4，若要組成 48KB 之主記憶體，請問需要幾個這種 RAM？(A)12 (B)24 (C)48 (D)96 個
• 3.如圖 3 所示，電路之總平均功率及總虛功率分別為多少？（5％）
• 一、請比較並詳述壓力理論中的「反應取向」和「互動取向」對壓力看法之異同。（8 分）並將「互動取向」壓力理論應用到 2022 年在臺灣 COVID-19 疫情中，浮動的人心。（12 分）
• 9.如圖(三)所示電路，請問電流 I 為何？ (A)5mA (B)2mA (C)3mA (D)8mA 。
• 12. 設 ABCD 為梯形，其中 且 、 ∠C = 60° ， P 為 上一點，直線 AP 與邊 之延長線相交於Q 點，則 △ADP 與 △CQP 面積和之最小值為 _______   。
• 78. 如圖，一正方形內有四個半徑為1的小圓，每個切正方形於兩邊，中間有一半徑為2的大圓，與四小圓相切，求正方形的面積為何？ (A) (B) (C) 36(D)
• 【題組】(c)Write the transfer function of the observer between the measured vale of  and theestimated va
• 8.如圖電路，所有二極體特性皆相同；若 ID 為二極體電流，VD 為二極體端電壓，設二極體電流方程式 ， D則流經電阻 R 的電流 (A) 0 (B) (C) (D)
• 4. Consider the impurity diffusion of phosphorus into a silicon wafer. If phosphorus isdiffused into