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• 42. 全測站儀的檢校項目：(甲) 橫軸檢校；(乙) 視準軸檢校；(丙) 水準軸檢校，下列檢校順序何者 最適當？ (A) (甲) -＞ (乙) -＞ (丙) (B) (丙) -＞ (乙) -＞ (甲)
• 43. 試問方向的正倒鏡平均值為何？(A)00°00′25′′ (B) 179°59′55′′ (C)180°00′16′′(D) 359°59′55′′。
• 30.有關 N 通道加強型 MOSFET 在飽和區操作，Vt 為臨界電壓(threshold voltage)，VGS 為閘極-源極電壓， K 為 MOSFET 參數，汲極電流 ID為何？ (A)(B
• 44. 承上題，水平角 ∠QPR 的角度值為何？(A)112°38′25′′ (B)112°38′59′′ (C) 118°25′33′′  (D)118°25′10′′。
• 45. 如下圖，已知 的方位角分別為 75°、140°、196°，則水平角 ∠ DCB 的角度值為何？(A)48° (B) 56° (C) 59° (D) 65°。
• 46. 登記機關受理複丈申請案件，有下列哪些情形應通知申請人補正？甲、申請人之資格不符 乙、應提出之文件與規定不符丙、未依規定繳納土地複丈費 丁、不屬受理登記機關管轄戊、申請人於複丈時不到場 (A)
• 47. 新式全測站儀有所謂的雙軸傾斜補償功能，下列何者錯誤？ (A) 雙軸傾斜補償功能可以補償直立軸誤差對水平角的影響 (B) 雙軸傾斜補償功能可以補償定平誤差對水平角的影響 (C) 雙軸傾斜補償功能
• 48.下列何者錯誤？ (A) 申請人對於鑑界複丈結果有異議時，得申請再鑑界 (B) 申請人對於再鑑界結果仍有異議者，可以訴訟外紛爭解決機制處理 (C) 受理土地複丈案件，應於收件之日起十五日內辦竣 (
• 49.下列關聯性，何者錯誤？ (A) 測量基準 ＜–＞ TWD97 (B) 基本控制測量 ＜–＞ 直轄市或縣(市)主管機關 (C) 土地複丈 ＜–＞ 直轄市或縣(市)登記機關 (D) 地籍測量中央主管
• 50. 申請土地複丈，下列何者錯誤？ (A) 因建造行為鑑界，得由建造執照起造人會同土地所有權人或管理人申請 (B) 地上權之分割由地上權人會同土地所有權人或管理人申請 (C) 依法院確定判決書所為之
• 31.有關 N 通道加強型 MOSFET 在飽和區操作，Vt 為臨界電壓(threshold voltage)，VGS為閘極-源極電壓， K 為 MOSFET 參數，轉移電導(互導)gm為何？ (A)
• 32.有關理想運算放大器的特性，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為零，開迴路電壓增益為無窮大 (B)輸出阻抗為零，開迴路電壓增益為無窮大 (C)共模拒斥比為零，開迴路電壓增益為無窮大 (D)輸入阻抗為零
• 33.有關 MOSFET 放大電路的敘述，下列何者正確？ (A)共閘極放大電路其輸入端為源極，輸出端為汲極 (B)共汲極放大電路其輸入端為源極，輸出端為閘極 (C)共閘極放大電路其輸入端為汲極，輸出端
• 34.理想運算放大器的電壓隨耦器如【圖 34】所示，其電壓增益為何？ (A) -0.5 (B) -1 (C) 1 (D) 0.5
• 35.有關 P 型半導體與 N 型半導體的敘述，下列何者正確？ (A) P 型半導體的多數載子為電子 (B) N 型半導體為本質半導體摻雜三價元件 (C) P 型半導體為本質半導體摻雜五價元件 (D)
• 36.運算放大器所組合電路如【圖 36】所示，此電路的名稱為何？(A)微分電路 (B)積分電路 (C)除法電路 (D)乘法電路
• 37.有關 MOSFET 作為線性放大器需操作於何區？ (A)歐姆區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)三極區
• 38.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 38】所示，若 BJT 切入電壓 VBE = 0.7V，β = 100， VBB = 5.7V，VCC = 10V， RC = 2kΩ ， RB
• 39.橋式整流電路如【圖 39】所示，若交流側輸入電壓有效值ES 為 100V，則輸出電壓平均值約為何？(A) 141.4V (B) 100V (C) 90V (D) 63.6V
• 40.如【圖 40】所示電路，二極體為理想特性，若 VDD = 6V，R1 =1kΩ，則電流 IR 為何？(A) 2 mA (B) 3 mA (C) 4 mA (D) 6 mA
• 41.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 41】所示，若 BJT 的 β = 100，RC=500Ω，VCC=10V， IB=1mA，則下列何者正確？(A)電晶體操作於主動區 (B)電晶體
• 42.如【圖 42】所示之理想運算放大電路，R1=R2=10kΩ，Rf=R3=20kΩ，若 V1=2V、V2=3V，則在正常操 作其輸出電壓 V0 為何？(A) 2V (B) 4V (C) 5V (D
• 43.由 MOSFET 組成數位邏輯閘如【圖 43】，此為何邏輯閘？(A)及閘(AND gate) (B)或閘(OR gate) (C)反及閘(NAND gate) (D)反或閘(NOR gate)
• 44.雙極性接面電晶體(BJT)操作於主動區其 T 型小信號模式如【圖 44】所示，BJT 的 β = 50 ，熱電壓 VT =25mV，若直流偏壓的集極電流 IC =1.2mA，則轉移電導(互導)g
• 45.雙極性接面電晶體(BJT)在主動區操作其混合 π 型小信號模式如【圖 45】所示，BJT 的 β = 100 ，熱電壓 VT = 25mV ，若直流偏壓時的電流 IB = 25 μA ，則電阻