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41.下列何者錯誤? (A) 增建建物之所有權人申請建物複丈,應提出增建使用執照竣工圖說及其影本 (B) 建物因改建、增建、分割、合併或部分滅失等申請複丈完成後,登記機關應將變更前後情形,以電腦繪圖方
問題詳情
41.下列何者錯誤?
(A) 增建建物之所有權人申請建物複丈,應提出增建使用執照竣工圖說及其影本
(B) 建物因改建、增建、分割、合併或部分滅失等申請複丈完成後,登記機關應將變更前後情形,以電腦繪圖方式分別繪製建物位置圖及平面圖
(C) 建物勘查結果經核定後,應加註於有關建物測量成果圖
(D)建物合併,除保留合併前之最前一建號外,因應新建物日漸增多,其他建號得予使用在新
建物。
參考答案
答案:D
統計:A:1,B:0,C:2,D:12,E:0
難度:計算中
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29.某放大器的電壓增益為 100,此電壓增益為多少 dB(分貝)? (A) 100 dB (B) 80 dB (C) 60 dB (D) 40 dB
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42. 全測站儀的檢校項目:(甲) 橫軸檢校;(乙) 視準軸檢校;(丙) 水準軸檢校,下列檢校順序何者 最適當? (A) (甲) -> (乙) -> (丙) (B) (丙) -> (乙) -> (甲)
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43. 試問方向的正倒鏡平均值為何?(A)00°00′25′′ (B) 179°59′55′′ (C)180°00′16′′(D) 359°59′55′′。
30.有關 N 通道加強型 MOSFET 在飽和區操作,Vt 為臨界電壓(threshold voltage),VGS 為閘極-源極電壓, K 為 MOSFET 參數,汲極電流 ID為何? (A)(B
44. 承上題,水平角 ∠QPR 的角度值為何?(A)112°38′25′′ (B)112°38′59′′ (C) 118°25′33′′ (D)118°25′10′′。
45. 如下圖,已知 的方位角分別為 75°、140°、196°,則水平角 ∠ DCB 的角度值為何?(A)48° (B) 56° (C) 59° (D) 65°。
46. 登記機關受理複丈申請案件,有下列哪些情形應通知申請人補正?甲、申請人之資格不符 乙、應提出之文件與規定不符丙、未依規定繳納土地複丈費 丁、不屬受理登記機關管轄戊、申請人於複丈時不到場 (A)
47. 新式全測站儀有所謂的雙軸傾斜補償功能,下列何者錯誤? (A) 雙軸傾斜補償功能可以補償直立軸誤差對水平角的影響 (B) 雙軸傾斜補償功能可以補償定平誤差對水平角的影響 (C) 雙軸傾斜補償功能
48.下列何者錯誤? (A) 申請人對於鑑界複丈結果有異議時,得申請再鑑界 (B) 申請人對於再鑑界結果仍有異議者,可以訴訟外紛爭解決機制處理 (C) 受理土地複丈案件,應於收件之日起十五日內辦竣 (
49.下列關聯性,何者錯誤? (A) 測量基準 <–> TWD97 (B) 基本控制測量 <–> 直轄市或縣(市)主管機關 (C) 土地複丈 <–> 直轄市或縣(市)登記機關 (D) 地籍測量中央主管
50. 申請土地複丈,下列何者錯誤? (A) 因建造行為鑑界,得由建造執照起造人會同土地所有權人或管理人申請 (B) 地上權之分割由地上權人會同土地所有權人或管理人申請 (C) 依法院確定判決書所為之
31.有關 N 通道加強型 MOSFET 在飽和區操作,Vt 為臨界電壓(threshold voltage),VGS為閘極-源極電壓, K 為 MOSFET 參數,轉移電導(互導)gm為何? (A)
32.有關理想運算放大器的特性,下列何者正確? (A)輸入阻抗為零,開迴路電壓增益為無窮大 (B)輸出阻抗為零,開迴路電壓增益為無窮大 (C)共模拒斥比為零,開迴路電壓增益為無窮大 (D)輸入阻抗為零
33.有關 MOSFET 放大電路的敘述,下列何者正確? (A)共閘極放大電路其輸入端為源極,輸出端為汲極 (B)共汲極放大電路其輸入端為源極,輸出端為閘極 (C)共閘極放大電路其輸入端為汲極,輸出端
34.理想運算放大器的電壓隨耦器如【圖 34】所示,其電壓增益為何? (A) -0.5 (B) -1 (C) 1 (D) 0.5
35.有關 P 型半導體與 N 型半導體的敘述,下列何者正確? (A) P 型半導體的多數載子為電子 (B) N 型半導體為本質半導體摻雜三價元件 (C) P 型半導體為本質半導體摻雜五價元件 (D)
36.運算放大器所組合電路如【圖 36】所示,此電路的名稱為何?(A)微分電路 (B)積分電路 (C)除法電路 (D)乘法電路
37.有關 MOSFET 作為線性放大器需操作於何區? (A)歐姆區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)三極區
38.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 38】所示,若 BJT 切入電壓 VBE = 0.7V,β = 100, VBB = 5.7V,VCC = 10V, RC = 2kΩ , RB
39.橋式整流電路如【圖 39】所示,若交流側輸入電壓有效值ES 為 100V,則輸出電壓平均值約為何?(A) 141.4V (B) 100V (C) 90V (D) 63.6V
40.如【圖 40】所示電路,二極體為理想特性,若 VDD = 6V,R1 =1kΩ,則電流 IR 為何?(A) 2 mA (B) 3 mA (C) 4 mA (D) 6 mA
41.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 41】所示,若 BJT 的 β = 100,RC=500Ω,VCC=10V, IB=1mA,則下列何者正確?(A)電晶體操作於主動區 (B)電晶體
42.如【圖 42】所示之理想運算放大電路,R1=R2=10kΩ,Rf=R3=20kΩ,若 V1=2V、V2=3V,則在正常操 作其輸出電壓 V0 為何?(A) 2V (B) 4V (C) 5V (D
43.由 MOSFET 組成數位邏輯閘如【圖 43】,此為何邏輯閘?(A)及閘(AND gate) (B)或閘(OR gate) (C)反及閘(NAND gate) (D)反或閘(NOR gate)
44.雙極性接面電晶體(BJT)操作於主動區其 T 型小信號模式如【圖 44】所示,BJT 的 β = 50 ,熱電壓 VT =25mV,若直流偏壓的集極電流 IC =1.2mA,則轉移電導(互導)g
45.雙極性接面電晶體(BJT)在主動區操作其混合 π 型小信號模式如【圖 45】所示,BJT 的 β = 100 ,熱電壓 VT = 25mV ,若直流偏壓時的電流 IB = 25 μA ,則電阻
46.共射極放大電路如【圖 46】所示,BJT 的 β = 50 、切入電壓 VBE = 0.7V、RC = 2kΩ,VCC = 12V, 若直流偏壓的 VCE = 6V ,則電阻 RB 約為何?(A