問題詳情

一、在溫度 300K 的環境，一 n 型（n–type）矽晶圓，其摻雜磷（Phosphorus）之濃度為 3x1017 atoms/cm3，假設其摻雜之雜質均勻分布於晶圓，同時摻雜雜質完全游離化（complete ionization），有效導帶能態密度（effective density of states in the conduction band）NC=2.86X1019 cm-3  ，有效價帶能態密度（effect density of states in the valence band）NV=2.6X1019cm-3，請計算及畫圖說明此晶圓之費米能階（Fermi level, EF）和導電帶（conduction band,Ec ）最低點之電子伏特（eV）差值。（20 分）（常數 k = 1.38066 X 10-23 J K ）

參考答案

答案：A
難度：簡單0.879548
統計：A(701),B(87),C(6),D(3),E(0)

用户評論

【用戶】陳念岐

【年級】大一下

【評論內容】對兒童犯罪～加重1/2

【用戶】上榜一姐

【年級】高三下

【評論內容】名　　稱兒童及少年福利與權益保障法 修正日期民國 104 年 02 月 04 日