問題詳情

1相較於 Si、GaAs 半導體材料,SiC、GaN 具備下列何種特性?
(A)窄能隙
(B)低遷移率
(C)高崩潰電壓
(D)低導熱率

參考答案

答案:C
難度:適中0.467
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用户評論

【用戶】hchungw

【年級】研一上

【評論內容】碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)都具有較高的臨界電場,這使得它們能承受較高的電壓而不會崩潰。這一特性使它們在高功率和高電壓的電子裝置中有著廣泛的應用。所以,對於您的問題,選項(C)高崩潰電壓是正確的選擇。不過要注意的是,這些材料的特性不僅限於高崩潰電壓,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)也具有高電子遷移率、大能帶差(寬能隙)、高溫性能好以及優秀的熱導性等特性,這使得它們在許多高性能的半導體設備中有著廣泛的應用。

【用戶】hchungw

【年級】研一上

【評論內容】SiC和GaN半導體材料由於其化學鍵結強度較高,因此具有更高的崩潰電壓。這種特性使它們特別適合於需要在高壓條件下運行的電力電子應用。另外,對於選項(A) 窄能隙,(B) 低遷移率,(D) 低導熱率,SiC和GaN實際上是具有更寬的能隙(導致更高的崩潰電壓),較高的電子遷移率(可提供更快的裝置切換速度)以及較高的導熱率(有助於裝置冷卻)。