問題詳情
五、設實驗室中僅有下列製程設備：Mask aligner（光罩機）Spinning, baking, and development setups for photoresist and spin-on glass（光阻顯影設備）Wet chemical bench for cleaning and wet etching（濕式蝕刻設備）Oxidation furnace（氧化爐）Annealing furnace（熱處理爐）Al evaporator（鋁蒸著機）現擬利用上述設備製造圖二所示之 DRAM 結構，該結構為一簡單的鋁閘之 n 通道MOSFET（Al-gate n-channel MOSFET）聯接著一個電容器。（每小題 10 分，共 20 分）
【題組】⑴試繪出此 DRAM 結構的剖面圖（cross-sectional view）。
參考答案
答案：B
難度：簡單0.818744
統計：A(14),B(795),C(21),D(113),E(0)