問題詳情

三、回答下列問題：（每小題 10 分，共 20 分）
【題組】⑴對於一理想的金屬-氧化層-半導體電容（metal-oxide-semiconductor capacitor, MOScapacitor），具有下圖的電容-電壓（capacitance-voltage, C-VG）特性，請說明反轉（inversion）、空乏（depletion）、平坦能帶（flat band）、VG = VT（VG為閘極電壓，VT為臨界電壓）、聚積（accumulation）分別對應至下圖電容-電壓特性曲線中 a、b、c、d、e 的何點？

參考答案

答案：B
難度：簡單0.819588
統計：A(35),B(318),C(13),D(5),E(0)