3 一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容，在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失，則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？ (A)1 pA (B)2 pA (C)5

問題詳情

3 一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容，在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失，則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？
(A)1 pA
(B)2 pA
(C)5 pA
(D)10 pA

答案：C
難度：簡單0.867925
統計：A(1),B(2),C(46),D(0),E(0)

【用戶】李德

【年級】高一下

【評論內容】Q=It=CV

【年級】高三下

【評論內容】f 是 10-15 一般比較少見