【評論主題】14 如圖示電路，isc的值為何？ (A) 3 A (B) 5 A (C) 8 A (D) 15 A

【評論內容】右邊短路，如果2歐姆也沒電流，相依也識為短路。

【評論主題】22 如圖所示，螺線管線圈中已知磁阻為 5 × 106安培/韋伯、匝數為 500 匝，則該線圈之電感量為多少亨利？  (A) 0.001 亨利(B) 0.01 亨利(C) 0.025 亨利(D) 0.

【評論內容】R=(1/u)*長度/A

【評論主題】22 如圖所示，螺線管線圈中已知磁阻為 5 × 106安培/韋伯、匝數為 500 匝，則該線圈之電感量為多少亨利？  (A) 0.001 亨利(B) 0.01 亨利(C) 0.025 亨利(D) 0.

【評論內容】L=uAN^2/長度;L=N^2/R

【評論主題】33 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，IC= 1 mA，VT= 26 mV，β = 100，Cπ = 100 f F，Cμ = 20 f F，且 CCS ＝30

【評論內容】原來還有Cs

【評論主題】19 在 MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為：(A) rO ∝ID (B) rO ∝ (C) rO ∝ (D) rO與 ID無關

【評論內容】ro=Va/Id. ?

【評論主題】6 一匹配的 CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為 200 fF，當操作電源為 5 V 時，高準位至低準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 1

【評論內容】看書:tphl=(1.6*C) / (K*VDD)

【評論主題】當一個操作在主動模式(active-mode)之雙極性接面電晶體，若其β=80，互導 gm=40mA/V 時【題組】27.可推知其跨於基極射極的 rp 值為：(A) 200W (B) 250W (C)

【評論內容】gm*r(pi)=Beta

【評論主題】如【圖24】電路及其BJT電晶體的特性曲線【圖2-2】【題組】15,，假設原來的工作點為Q點，當Re電阻值變小 時，其新的工作點應近似於【圖2-2】中的那一點？(A) A 點(B) B 點(C) C

【評論內容】沒有Re...

【評論主題】20 圖為含射極電阻RE的差動放大器（Differential Amplifier）。其中RC1＝RC2＝8kΩ，RE＝100Ω，IB1＝IB2＝0.5mA，電晶體的β為 100。則差動放大器的差模電

【評論內容】請問Ad開頭乘2是為何?

【評論主題】36 電壓 v=155.56 × sin（377t+θ），請問一個週期的 時間為多少?(A)60 秒 (B)30 秒 (C)1/30 秒 (D)1/60秒

【評論內容】337t 改377t

【評論主題】21 一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的 MOSFET，若其汲極電流 ID 增為 4 倍，則其轉導（Transconductance）參數 gm的值會如何變化？(A)增為 4 倍

【評論內容】兩個式子的差異是什麼?和怎求呢？

【評論主題】7 P 通道空乏型 MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會：(A)無影響 (B)減小 (C)加大 (D)無法判斷

【評論內容】P型的圖:P-(P型通道)-P;基底為N型,因此加正電導致基底壓縮通道。

【評論主題】19 在 MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為：(A) rO ∝ID (B) rO ∝ (C) rO ∝ (D) rO與 ID無關

【評論內容】ro=Va/Id. ?

【評論主題】6 一匹配的 CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為 200 fF，當操作電源為 5 V 時，高準位至低準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 1

【評論內容】看書:tphl=(1.6*C) / (K*VDD)

【評論主題】當一個操作在主動模式(active-mode)之雙極性接面電晶體，若其β=80，互導 gm=40mA/V 時【題組】27.可推知其跨於基極射極的 rp 值為：(A) 200W (B) 250W (C)

【評論內容】gm*r(pi)=Beta

【評論主題】如【圖24】電路及其BJT電晶體的特性曲線【圖2-2】【題組】15,，假設原來的工作點為Q點，當Re電阻值變小 時，其新的工作點應近似於【圖2-2】中的那一點？(A) A 點(B) B 點(C) C

【評論內容】沒有Re...

【評論主題】20 圖為含射極電阻RE的差動放大器（Differential Amplifier）。其中RC1＝RC2＝8kΩ，RE＝100Ω，IB1＝IB2＝0.5mA，電晶體的β為 100。則差動放大器的差模電

【評論內容】請問Ad開頭乘2是為何?

【評論主題】36 電壓 v=155.56 × sin（377t+θ），請問一個週期的 時間為多少?(A)60 秒 (B)30 秒 (C)1/30 秒 (D)1/60秒

【評論內容】337t 改377t

【評論主題】21 一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的 MOSFET，若其汲極電流 ID 增為 4 倍，則其轉導（Transconductance）參數 gm的值會如何變化？(A)增為 4 倍

【評論內容】兩個式子的差異是什麼?和怎求呢？

【評論主題】7 P 通道空乏型 MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會：(A)無影響 (B)減小 (C)加大 (D)無法判斷

【評論內容】P型的圖:P-(P型通道)-P;基底為N型,因此加正電導致基底壓縮通道。

【評論主題】19 有一 RL 電路之電阻值為 6 歐姆、功率因數為 0.6，若欲改善其功率因素至 0.8 滯後，則須串接何種元件及阻抗？（Ａ）電感抗 3.5 歐姆 （Ｂ）電容抗 3.5 歐姆 （Ｃ）電感

【評論內容】用串接的來改善功率因素，不管怎樣要改善好像都是用"電容"。

【評論主題】10 如圖所示電路，試求可變電阻 RL 可獲得之最大功率為幾瓦？ (A)2 (B)3 (C)5 (D)6

【評論內容】拿掉RL算等效電路?

【評論主題】【題組】23 承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為I 2Dn = Kn(VGSN – VTN) ，則偏壓電流

【評論內容】[10-Vgs-(-10)]/40k=0.25(Vgs-Vt)^2

【評論主題】12 如圖所示之CMOS電路，輸出F與VDD之間為pFETs元件組態，輸出F與接地之間為nFETs元件組態，則其輸出F為：

【評論內容】原來有線連在一起呀

【評論主題】10 如圖所示電路，若有效值電源電壓相量 S = 100∠0° 伏特，則電路總虛功率QT為多少乏？(A) 1000 (B) 1250 (C) 1500 (D) 2250

【評論內容】1.V/Zt太難解 2.串聯拆並聯，個別V^2/XL,在相加。看人品和經驗的....

【評論主題】19 圖中電路，R1＝10kΩ，R2＝1MΩ，若運算放大器的輸入偏移 R2電壓（Offset Voltage，VOS）為 1mV，輸入偏壓電流（Bias Current，IB）為 0.2μA，則輸出的

【評論內容】Vo=1m*(1+R2/R1)+0.2u*R2

【評論主題】5 分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之 VDD 轉導值gm皆為 1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗 （ro＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？ (A)其電壓增益之絕對值約為 1

【評論內容】Hi*gm1*10k

【評論主題】【題組】32 承上題，該差動放大電路之電晶體 Q2 側的 vC2電壓值應為多少？(A)-5 V (B)-3 V (C)-0.7 V (D) 0 V

【評論內容】這怎麼算呢？

【評論主題】4 若 BJT 功率放大電路中，其直流電路之 ICQ = 1 mA，β = 100，此時交流電路之 rπ應為：(A)2.5 kΩ (B) 3.5 kΩ (C) 4.5 kΩ (D) 5.5 kΩ

【評論內容】(A)2.5K

【評論主題】34 圖 1 為差動放大電路，若R1＝R2＝20 kΩ、R3＝5 kΩ、Q1及Q2具有相同的電性參數，且其低頻小信號等效電路如圖 2 所示，則小信號電壓增益vo / vi約為：【題組】34 (A) 2

【評論內容】這怎麼求呢？

【評論主題】3 一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容，在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失，則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？ (A)1 pA (B)2 pA (C)5

【評論內容】Q=It=CV

【評論主題】8 若某電阻的溫度係數為 0.005℃-1，其於 20℃時之電阻值為 1 歐姆，試問於 60℃時，其電導值約為多少姆歐？(A)1.2 (B)1.0 (C)0.92 (D)0.83

【評論內容】電導值.........................................

【評論主題】14 如圖示電路，isc的值為何？ (A) 3 A (B) 5 A (C) 8 A (D) 15 A

【評論內容】右邊短路，如果2歐姆也沒電流，相依也識為短路。

【評論主題】31 圖(a)為一個半波整形電路，圖(b)為其轉移曲線。若運算放大器為理想，二極體D之導通電壓為 0.7 V，則圖(b)Vo / Vi的斜率約為何？

【評論內容】如果不用虛短路，這該怎麼思考呢？

【評論主題】35 一運算放大器的轉換率（Slew Rate）為 31.4 V/μs，輸出一正弦波，其峰至峰（Peak to Peak）振幅為10 V。則其輸出不會產生失真的最高頻率約為：(A) 5 MHz (B)

【評論內容】SR<=2兀F*Vm

【評論主題】24 若一矽塊之受體濃度為 1×1015/cm3，本質濃度為ni=1.5×1010/cm3，μn=1500 cm2/v-sec，μp=475 cm2/v-sec，則此一矽塊之導電率約為：(A) 7.6

【評論內容】怎麼求呢？

【評論主題】19 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為V1＝1 mV、V2＝1 mV，試求其輸出電壓Vo應為多少？(A)-4 mV (B) 4 mV(C)-2 mV (D) 2 mV

【評論內容】Vo1=1m*(1+2)*(-2)=-6m;Vo2=1m*(2/3)*(1+2)=2m;

【評論主題】21 一個IDSS=6 mA，Vp=-6 V的JFET，當其工作於VGS=-3 V時，它的互導gm為： （提示：ID=IDSS［ ）(A) 0.25 mS (B) 0.5 mS (C) 1 mS (D

【評論內容】Vgs=gm*Id

【評論主題】17利用四位元二進制加法器做BCD碼加法運算時，若結果超過9，應做何修飾？(A)加10 (B)加6 (C)減10 (D)減6

【評論內容】9:1001 + 8: 1000 = 17:10001 + (6:0110)

【評論主題】9 如圖示之電路，已知N通道JFET之IDSS＝4 mA，VGS(off)＝-4 V，若要使此電晶體工作於夾止區，且ID＝1 mA，求電阻RS及電壓VDS為多少？ (A)RS＝1 kΩ與VDS＝3

【評論內容】Id公式得Vgs=-Vs;

【評論主題】39 有一電阻器，在 10°C 時為 100 歐姆，在 60°C 時為 105 歐姆，若溫度提高到 100°C，此時電阻器的電阻為多少歐姆？(A) 107 (B) 108 (C) 109 (D) 11

【評論內容】R2=R1[1+a0(T2-T1)]

【評論主題】12 有一環形鐵蕊，磁路長 0.4 公尺，繞有 10 匝線圈，並通以 2 安培之電流，則其磁動勢為：(A) 8 安匝 (B) 20 安匝 (C) 200 安匝 (D) 80 安匝

【評論內容】F=NI

【評論主題】22 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。若電晶體都有相同的爾利電壓（Early Voltage，VA）100V；且都設計在相同的驅使電壓（

【評論內容】-1/(2gm3*roB)

【評論主題】18 圖中電路，其Vout/Vin的零點（Zero）為： (A)(RLC)-1 (B)(RC)-1 (C)gm/C(D)[(R+RL)C]-1

【評論內容】不會...

【評論主題】32 有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 μV，另一端輸入 Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益 Ad為 100，而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？(A)2.75

【評論內容】CMRR=|Ad/Acm|

【評論主題】32 有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 μV，另一端輸入 Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益 Ad為 100，而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？(A)2.75

【評論內容】差動放大的Vo=Ad*(Vi2-Vi1)+Acm*[(Vi1+Vi2)/2]

【評論主題】23 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi為何？(A)10 V/

【評論內容】Rs和Rg 容易忘記分壓，Rd和ro也是 ...

【評論主題】23 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi為何？(A)10 V/

【評論內容】=Vo

【評論主題】29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF，其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為 C2，試求 C2 / C1的比值？(A)接近 0(B)接

【評論內容】Miller Effect所致C2 ~= C1

【評論主題】23 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi為何？(A)10 V/

【評論內容】Vi*[1k/(1k+1k)]*gm*(10k//10k)

【評論主題】8 如圖所示之兩電感器串聯電路，其互感（M）為 2 亨利，則兩電感器儲存的能量共多少焦耳？ (A) 56 (B) 80 (C) 88 (D) 104

【評論內容】0.5(L*I^2)

【評論主題】34 一個 10 kW 的負載在 120 V/60 Hz 之下測得的電流為 100 A。試問虛功率（reactive power）為多少？(A) 2 kvar (B) 6.63 kvar (C) 8.

【評論內容】S=12K;P=10k

【評論主題】30 如圖所示，V = 30 伏特，R1 = 10 Ω，R2 = 5 Ω，R3 = 10 Ω，C = 20 mF，電容器初始電壓為 5 V，當開關 S 閉合後 0.4 秒時，電容器上之電壓為何？  (

【評論內容】T=RC=0.2s;e^-2=0.135;Vc=(15-5)(1-0.135)+5=13.65

【評論主題】29 以 iS = 800sin(104t+30°) mA 驅動的 RLC 並聯諧振電路中，L = 1 mH、C = 0.01 mF，已知其品質因數Q0 = 20，則該電路之 3 分貝頻寬（BW）應為

【評論內容】回推來看，f=1/(更號LC),這不就變成w了？

【評論主題】22 如圖所示，螺線管線圈中已知磁阻為 5 × 106安培/韋伯、匝數為 500 匝，則該線圈之電感量為多少亨利？  (A) 0.001 亨利(B) 0.01 亨利(C) 0.025 亨利(D) 0.

【評論內容】R=(1/u)*長度/A

【評論主題】22 如圖所示，螺線管線圈中已知磁阻為 5 × 106安培/韋伯、匝數為 500 匝，則該線圈之電感量為多少亨利？  (A) 0.001 亨利(B) 0.01 亨利(C) 0.025 亨利(D) 0.

【評論內容】L=uAN^2/長度;L=N^2/R

【評論主題】1 有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？(A)直流偏壓在主動區(B)輸入電流為零(C)共模輸出訊號是無限大(D)輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源

【評論內容】不是共模拒斥比 ... 是 Acm

【評論主題】19 試求圖中 6 Ω 電阻兩端 a-b 點間之戴維寧等效電壓為何？  (A) 12 伏特(B) 18 伏特(C) 24 伏特(D) 36 伏特

【評論內容】被 騙了!? 拿掉6歐姆...

【評論主題】11 如圖所示電路，求電壓 ν 之值約為何？  (A) 3.6 V(B) 3.9 V(C) 4.0 V(D) 4.2 V

【評論內容】麻煩;10*(40//1k)/[60+(40//1k)]

【評論主題】10 某駕駛於關閉汽車引擎時忘了同時關掉車上一盞 40 W 的大燈，設此汽車之電池為 12 V，額定為 50安培-小時，且引擎關閉時為飽滿狀態，但當電池容量低於原來的 20%時，汽車引擎即無法啟動，此

【評論內容】P=IV;I=10/3 A;(50*0.8)/(10/3)=12

【評論主題】9 設真空之比例常數 k 為 9 × 109 N-m2/coul2，若有 1 × 10-3 coul 之正電荷與 5 × 10-5 coul 之負電荷，相距5 m，試求其間之靜電力？(A) 9 N，斥

【評論內容】F=K*Q1*Q2/d^2

【評論主題】34 某電氣訊號頻率為 900 kHz，請問其波長為多少公尺？ (A)333.33 公尺(B)900 公尺(C)3×108公尺(D)100 公尺

【評論內容】波長=光速(3*10^8)/頻率

【評論主題】40 記憶體晶片在 5 V 電源下，以 100 ns 週期連續操作，晶片功率消耗為 400 mW，在任一週期中有動作的所有邏輯的總電容約為何？(A)0.8 nF(B)1 nF(C)1.6 nF(D)2

【評論內容】f=1/100n;P=f*C*V^2

【評論主題】28 某一具有相對導磁係數 4200 的磁性材料，其磁路長度為 0.5 公尺，截面積為 0.05 平方公尺，試求此磁路之磁阻應為多少安培/韋伯？（註：真空之導磁係數為4π×10−7Wb /A⋅m）(A

【評論內容】[1/(4200*4兀*10^-7)]*0.5/0.05

【評論主題】25 一初始未儲能之 4.7μF 電容器，以 0.01A 之穩定電流充電，經 2 秒鐘後，切斷電流源，試問此時電容器中儲存了多少電量？(A) 9.4μC (B) 0.02 C (C) 0.005 C

【評論內容】Q=It=CV

【評論主題】34 如圖示之差動對電路，電晶體之 β=100，ro→∞，RC=4kΩ，I=2mA，VCC=-VEE=10V，取 VBE（on）=0.7V，VCE（sat）=0.3V，VT=25mV，電晶體之 gm值

【評論內容】gm*(rpi)=Beta

【評論主題】38如圖之差動對電路，電晶體之 β = 100，ro→∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取 VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V

【評論內容】Ic=2m/2;Vc=10-Ic*4k

【評論主題】31量測一內部補償的運算放大器，其直流增益為 7×104，增益下降 20 dB 的頻率為 1 kHz，求其 3 dB 頻 率的近似值為何？(A)10 Hz(B)100 Hz(C)1 kHz(D)10

【評論內容】抱歉，我自己圖畫成低通，就覺得是低通了。1.不過因為dB是"下降"確定是頻率越大增益衰減越多2. 1K Hz 也扯不上高通 ...

【評論主題】13如圖所示之電路，二極體為理想。va = 100sinωt V，vb = 100sin(ωt-180°) V，求其平均輸出電壓 Vo 爲何？ (A)22.51 V(B)47.74 V(C)63.66

【評論內容】二極體只讓正半波通過，0.636

【評論主題】39 一 BJT 放大器操作在 IC＝1 mA 下，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為 200 MHz，其電容 Cπ為 24 pF，其電容 Cμ值為何？(A)8 pF(B)1

【評論內容】有點奇怪的是，怎不是 r pi ?

【評論主題】26 若圖中電晶體為 N 通道增強型 MOSFET，且電壓增益（vo / vi）為 -3.3，則 Rin約為： (A)8.44 MΩ(B)6.32 MΩ(C)4.56 MΩ(D)2.33 MΩ

【評論內容】Ri(miller effect)=10M/(1+3.3)

【評論主題】24 試問一個 n 通道 MOSFET 的過激電壓（Overdrive Voltage, VGS－Vt）Vov 及其臨界電壓（Threshold Voltage）Vtn，與 MOSFET 各極間電壓的

【評論內容】這題目太厲害了 ...

【評論主題】14 如圖所示之電路，二極體導通之壓降為 0.7 V，RC >> vi之週期，求電路穩態時之 V3為何？ (A)5.3 V(B)9.3 V(C)24.3 V(D)34.3 V

【評論內容】因為有電容，Vpp是一樣大的;然後二極體只讓負半週通過，電池是反接，所以最低是-5V

【評論主題】13 圖示整流電路，若輸入弦波 vI與電阻 R 皆固定，今若電容 C 變大，下列敘述何者正確？(A)輸出電壓 vO的漣波（ripple）變大(B)二極體導通時間變長(C)二極體最大導通峰值電流變大(D

【評論內容】以下個人判斷，有錯還請指教，謝謝。

【評論主題】12 如圖的二極體電路，設各二極體為理想二極體，則電流 Io 為： (A)0 mA(B)1 mA(C)1.33 mA(D) 2 mA

【評論內容】左邊的二極體也通了吧，不然就是答案錯了?

【評論主題】1對於 CMOS（Complementary MOS，又稱互補 MOS）反相器電路，V DD 爲汲極偏壓，下列敘述何者正確？(A)直流功率耗損較交流功率耗損大(B) 交流功率耗損大並與 VDD

【評論內容】p = f*C*V^2

【評論主題】33 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，IC= 1 mA，VT= 26 mV，β = 100，Cπ = 100 f F，Cμ = 20 f F，且 CCS ＝30

【評論內容】原來還有Cs

【評論主題】34 如圖之 MOS 差動放大器（Differential Amplifier），Q1＝Q2，其臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 0.5 V，爾利電壓（Early Voltage

【評論內容】不太確定 ....

【評論主題】31 如圖所示之電路，若電晶體之 rπ = 1 kΩ，CC = 1 μF，R1 = 10 kΩ，R2 >> rπ，CL= 10pF，gm = 1 mA/V，下列敘述何者正確？ (A)低頻

【評論內容】高頻不知道，沒有內部電容?還是要用CL?低頻:w=1/(RC);R=R2//r兀;C=CC

【評論主題】30 圖示電路，若 RG = 10 MΩ 、RD = 10 kΩ ，電晶體的輸出阻抗 ro = 10 kΩ ，電壓增益 Av = vo/vi = - 4，則 Rin約為若干？ (A) ∞(B)10 M

【評論內容】Miller....

【評論主題】25 如圖所示之電路，其中二極體 VD,on =0.7 V，電晶體 VBE(on) =0.7 V，則 I1為多少？ (A) 0 mA(B)0.26 mA(C) 1.05 mA(D)1.25 mA

【評論內容】Vr4k=5-0.7-0.1=4.2 v

【評論主題】23 如圖電路，設二極體為理想二極體。則通過二極體之電流 I 為何？ (A) 0.1 mA(B)0.5 mA(C) 0.75 mA(D)1.25 mA

【評論內容】(1):[(12-V0)/6k]+I=V0/6k (2):[(20-V0)/10k]-I=V0/10k

【評論主題】22 如圖所示，電路 U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電阻 R1=1 kΩ 、R2=2 kΩ 。當 vI =5 V 時，輸出電壓 vo 約為多少？ (A) 4 V(

【評論內容】這怎麼算呢？

【評論主題】21 如圖所示為電阻 R1、R2、R3，以及運算放大器組成的電壓放大器。R3 的作用使運算放大器的輸入偏置電流（Input Bias Current）在輸出所產生偏移電壓（Offset Voltage

【評論內容】R3=R1//R2

【評論主題】15 下列何者為帶通濾波器（Band Pass Filter）電路轉移函數（Transfer Function）的數學表示式？

【評論內容】A:帶斥 B:高通 D:低通

【評論主題】37 有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）F(s) 如下所示，其中 s=jω =j2πf ： 試問此轉移函數可能的頻率響應特性為何？(A)高通響應（High-Pass Res

【評論內容】這要怎麼解呢？

【評論主題】19 在 MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為：(A) rO ∝ID (B) rO ∝ (C) rO ∝ (D) rO與 ID無關

【評論內容】ro=Va/Id. ?

【評論主題】12 如圖所示之電路，變壓器圈數比 N1：N2 = 2：1，輸入電壓 vi為一交流弦波，峰值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體皆為理想，求輸出之平均直流電壓值約為何？(A)8 V(B) 12

【評論內容】嗯嗯，好像怪怪的~

【評論主題】6 一匹配的 CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為 200 fF，當操作電源為 5 V 時，高準位至低準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 1

【評論內容】看書:tphl=(1.6*C) / (K*VDD)

【評論主題】三、多重選擇題（一題３分，１２％）25、( 　)下列「　」中注音正確的有：　(A)紀「弦」：ㄒㄩㄢˊ　(B)「跫」音：ㄑㄩㄥˊ　(C)寒「暄」：ㄒㄩㄢ　(D)風「靡」：ㄇㄧˇ　(E)「嶄」露頭角：ㄓㄢ

【評論內容】這是多選題吧？

【評論主題】23假設一功率電晶體之接面最高允許溫度TJ(max)=175℃，於外殼溫度下Tc=25℃，若熱阻1℃/w，則其最高散逸功率為多少？(A)300W (B)250W (C)200W (D)150W

【評論內容】不知道這怎來的，熱阻1度/W就是斜率，因此溫度差就等於功耗差...

【評論主題】27. N通道加強型MOSFET 的閘-源電壓VGS應如何才能使汲極電流ID導通？(V T 為臨界電壓)(A).VGS ＞0， VGS ＜ VT、 (B).VGS ＜0， VGS ＞ VT、 (C).

【評論內容】沒有(D)

【評論主題】7有一電壓源-3+4√2(sin5t)V，其平均值電壓與有效值電壓比約為多少？(A)-1 (B)0 (C)0.75 (D)-0.6

【評論內容】請問，0.636Vm 什麼時候才用的到??

【評論主題】3. 家用的交流電源110V、60Hz，經半波整流，但未濾波，則此整流後電壓平均值約為多少？(A)70V (B)60V (C)50V (D)40V

【評論內容】是均方根值呀...

【評論主題】3.家用的交流電源110V、60Hz，經半波整流，但未濾波，則此整流後電壓平均值約為多少？(A)70V (B)60V (C)50V (D)40V

【評論內容】110*1.41/3.14

【評論主題】當一個操作在主動模式(active-mode)之雙極性接面電晶體，若其β=80，互導 gm=40mA/V 時【題組】27.可推知其跨於基極射極的 rp 值為：(A) 200W (B) 250W (C)

【評論內容】gm*r(pi)=Beta

【評論主題】25.如【圖 25】所示之二極體電路，設二極體導通時之電壓 VD=0.7V，已知 R=2kW，R1=1kW，R2=1kW，V1=3V，V2=5V，則當 VS=+10V 時，輸出電壓 Vo約為：  (A

【評論內容】(Vo-10)/2+(Vo-3.7)/1=0

【評論主題】【題組29-30】【題組】29.如【圖 29】的電路，設電晶體操作在主動模式(active mode)，其 IC=0.5mA，RC=10kΩ，RL=10kΩ，RE=0.2kΩ，CE及 CC均極大。此電

【評論內容】(1)Re因電容忽略(2)re=25m/0.5m(3)Av=-(Rc//RL)/re

【評論主題】27 如圖所示之 B 類推挽放大電路中，RL＝5 Ω，若已知其最大輸出功率為 10 W，則 VCC為：  (A) 7.07 V (B) 10 V (C) 14.14 V (D) 20 V

【評論內容】這怎麼解呢？

【評論主題】16 一多級放大器之電壓放大率為 1000 倍，其輸入阻抗為 10 KΩ、負載阻抗為 100 KΩ，則此多級放大器之功率增益為多少分貝（dB）？(A) 30 dB (B) 50 dB (C) 60 d

【評論內容】請問這要怎麼算??有圖例嗎？不知道負載阻抗和輸入阻抗用途