問題詳情

3 室溫下的 N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為 1015 cm-3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關 係為何？
(A)多數載子濃度大得多
(B)大約相等
(C)施體離子濃度大得多
(D)兩者無關

參考答案

答案：B
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增