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24.當以市內電話撥打至手機時,這通電話的訊息會先透過公眾交換電話網路,傳送到某一裝置,然後此裝置再將這通電話轉到基地台,基地台再透過一個無線頻道將訊號傳到手機。請問此裝置為何?(A)BSC(B)MS
問題詳情
24.當以市內電話撥打至手機時,這通電話的訊息會先透過公眾交換電話網路,傳送到某一裝置,然後此裝置再將這通電話轉到基地台,基地台再透過一個無線頻道將訊號傳到手機。請問此裝置為何?
(A)BSC
(B)MSC
(C) MTP
(D)NOC
參考答案
答案:B
難度:
計算中
-1
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23.資料以分封交換方式來傳送時,系統可以採用 Datagram(資料元)及下列何種方式來傳送?(A)細胞繼送(Cell Relay) (B)訊框繼送(Frame Relay)(C)電路交換(Circ
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25.下列何項網路設備可以用來分割子網路?(A)Repeater(B)L2 Switch(C) L3 Switch (D)Router
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26.下列哪一個頻段不是 GSM 系統使用的頻率?(A)900MHz(B)1800MHz(C) 1900MHz (D)2400MHz
27.下列何種調變與編碼率的組合能傳送的實質資料量最大?(A)QPSK 1/2 碼率(B)16QAM 2/3 碼率(C) 16QAM 3/4 碼率 (D)64QAM 1/3 碼率
28.下列何種通訊系統使用 OFDM 的技術?(A)Bluetooth(B)GSM(C) IEEE 802.11a (D)IEEE 802.11b
29. GSM 系統是使用何種調變技術?(A)ASK(B)BPSK(C) GMSK (D)64QAM
30.請問 60~108 KHz 的頻帶若使用 FDM 系統的架構,可分出幾個 4KHz 頻寬的通道?(A)6(B)12(C) 18 (D)24
40. R1 與 R2 兩電阻串聯連接,則其串聯後之總電阻為何?(A)R1+R2 (B) (C) (D)
31.如【圖 31】所示之二極體截波器(clipper),若輸入電壓 vi為一振福±10 V 的三角波,VB = 5 V,而二極體的導通電壓為 0.7 V,則輸出電壓 vo 的最小值約為何? (A)4
32.在考慮歐利效應(Early effect)的 BJT 混合 p 型(hybrid- p)等效電路中,假設熱電壓(thermal voltage)與歐利電壓(Early voltage)分別為 2
33.當溫度上升時,下列何項 FET 參數亦隨之上升?(A)載子遷移率(mobility)(B)MOSFET 的導電參數(C) JFET 的跨導參數(transconductance paramete
34.一單級差分放大器(difference amplifier)在某一頻率的差模(differential-mode)增益為 20 dB、共模(common-mode)增益為-10 dB,其在該頻率
51.一 n 型通道 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage)為 Vp,其操作於歐姆區(ohmic region)的條件為何?(A) (B) (C) (D)
41.變壓器的電壓調整率可以表示為下列何者?(A)(無載電壓-額定電壓)÷額定電壓(B)(無載電壓-額定電壓)÷無載電壓(C)額定電壓÷(無載電壓+額定電壓) (D)無載電壓÷(無載電壓+額定電壓)
35.一交流電壓的基本波(fundamental)振幅為 1 ,三次諧波(harmonic)與五次諧波分別為 0.4 與 0.3 ,其總諧波失真(total harmonic distortio
52.有關共汲極 MOSFET 放大器的敘述,下列何者錯誤?(A)等效輸入電阻很高 (B)電流增益很高 (C)電壓增益小於 1 (D)等效輸出電阻很高
53.某一電子系統的頻率響應圖中,在斜率為-40 dB/dec 的線段上,若頻率為 10 kHz 的增益為 5,則 100 kHz 時的增益為何?(A) 0.05 (B) 0.5 (C)5 (D) 5
54.有關放大器加上負回授之後的效果,下列敘述何者錯誤?(A)頻寬增加 (B)非線性失真減少 (C)增益減少 (D)穩定度增加
55. P 型半導體中,傳導電流的載子主要是:(A)電子 (B)電洞 (C)質子 (D)離子
56.當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 P 型半導體之空乏層內應有:(A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子
57.若流入電晶體各極的電流取正值,且已知基極電流是 0.2 mA,集極電流是 2 mA,則射極電流值為若干?(A) +2.2 mA (B) -2.2 mA (C)+1.8 mA (D) -1.8 m
42.【圖 42】所示之電路中 VE = 1V、 ,則下列敘述何者正確? (A)IB = 50mA (B)IC = 770mA(C)b = 53 (D)a = 0.97
43.某負載阻抗為 4+j5 歐姆,當負載電流為 20 安培時,則負載的虛功率為何?(A)1600 VAR (B)2000 VAR (C)2560 VAR (D)2646 VAR
44.某電路元件的電壓為 60sin(t+60°) 伏特、電流為 2sin(t+15° )安培,該元件的阻抗為何?(A)30∠45°(Ω) (B)30∠125°(Ω) (C)30(Ω) (D)21.2
58.如【圖 58】所示之電路,Vo 約為何? (A) 3V(B)2V(C)1V(D)-2V
59. JFET 之工作原理為何?(A)控制通道之導電係數 (B)控制通道空乏區之厚度(寬度)(C)控制通道接面之電流 (D)控制通道中的載子濃度
60.相較於 BJT 之特性,下列何者非 FET 之優點?(A)負溫度特性 (B)操作速度較快 (C)高輸入阻抗 (D)製造密度高