一、對一n型摻雜且室溫（300 K）下濃度為 1 × 1015 cm-3的矽半導體，試畫出此半導體在低溫（如低於 77 K）與高溫（如高於 500 K）時的能帶圖，此能帶圖需包含費米能階與能隙的變化，

問題詳情

一、對一n型摻雜且室溫（300 K）下濃度為 1 × 1015 cm-3的矽半導體，試畫出此半導體在低溫（如低於 77 K）與高溫（如高於 500 K）時的能帶圖，此能帶圖需包含費米能階與能隙的變化，並加以解釋所繪能帶圖之意義。（10 分）

參考答案

答案：C
難度：適中0.582996
統計：A(155),B(48),C(288),D(3),E(0)

用户評論

【圈圈】評論

特殊教育法第十六條特殊教育學校（班）之設立，應力求普及，以小班、小校為原則，並朝社區化方向發展。