44. 如圖所示為 CMOS 反相器電路，VDD = +5V ，假設 MOSFET 的臨界電壓分別為 VTN =1V、VTP = -1V ， KN = 0.6mA\/V2、KP = 0.2mA\

問題詳情

44. 如圖所示為 CMOS 反相器電路，VDD = +5V ，假設 MOSFET 的臨界電壓分別為 VTN =1V、VTP = -1V ， KN = 0.6mA/V2、KP = 0.2mA/V2。試問當輸入電壓 Vi為 5V 時，EPMOS 與 ENMOS 分別工作於何區域？

(A) EPMOS：飽和區；ENMOS：飽和區
(B) EPMOS：歐姆區；ENMOS：歐姆區
(C) EPMOS：截止區；ENMOS：歐姆區
(D) EPMOS：歐姆區；ENMOS：截止區。

答案：C

統計：A:0,B:0,C:0,D:0,E:0

難度：計算中