問題詳情
三、如圖三所示為一 CMOS 共源（CS）放大器，設各電晶體均偏壓於飽和區。電晶體Q1 之汲極飽和電流可示為 I D = 1 × (VGS1 − Vtn ) 2 (mA) ，式中 Vtn 為 Q1 之臨界電壓，其值 為 Vtn = 0.6 V ； 電 晶 體 Q2 與 Q3 具 相 同 特 性 ， 其 飽 和 I D 式 為I D = 400 × (VSG3 − | Vtp | ) 2 (μ A) ， 其 Vtp = −0.6 V 為 Q2 、 Q3 之 臨 界 電 壓 。 又I REF = 100 μA ，
【題組】 ⑴求 VSG3 之值；（4 分）
參考答案
答案：D
難度：簡單0.813208
統計：A(33),B(49),C(166),D(1650),E(0) #
個人：尚未作答書單：政府資訊公開法、EMU