問題詳情
19 如圖所示放大器,若電晶體操作於飽和區,電流源為理想,且忽略元件之寄生電容效應,下列敘述何者錯誤?
(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益
(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
(C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
(D)增加 RL可提高放大器之電壓增益
參考答案
答案:A
難度:適中0.519084
統計:A(68),B(16),C(19),D(15),E(0)
用户評論
【用戶】asd113038
【年級】小六下
【評論內容】C選項增益為gm*RL ,gm=2*根號K*Id W/L提高K增加
【用戶】asd113038
【年級】高三下
【評論內容】C選項增益為gm*RL ,gm=2*根號K*Id W/L提高K增加