問題詳情
19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？
(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益
(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
(C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
(D)增加 RL可提高放大器之電壓增益
(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益
(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
(C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
(D)增加 RL可提高放大器之電壓增益
參考答案
答案：A
難度：適中0.519084
統計：A(68),B(16),C(19),D(15),E(0)
難度：適中0.519084
統計：A(68),B(16),C(19),D(15),E(0)
用户評論
【大猩猩在哪裡?大猩猩在哪裡】評論
為什麼選項c是對的
【asd113038】評論
C選項增益為gm*RL ,gm=2*根號K*Id W/L提高K增加