五、對於一本質（Intrinsic）的矽半導體，進行淺層摻雜（Shallow doping）主要有擴散與離子佈植兩種技術。【題組】⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile

問題詳情

五、對於一本質（Intrinsic）的矽半導體，進行淺層摻雜（Shallow doping）主要有擴散與離子佈植兩種技術。
【題組】⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile）有什麼不同？（15 分）

答案：A
難度：困難0.372193
統計：A(431),B(170),C(170),D(387),E(0)

補充一下另外一種:99年終身學習行動年331為培養民眾具有終身學習、運動、反省的習慣，教育部特將99年訂為「99終身學習行動年」，以打造「學習型公民」，培養「終身學習者」為主軸，鼓勵民眾每天至少學習(閱讀)30分鐘、運動30分鐘，以及日行一善(終身學習331)。

【Sabrina Pan】評論

北七學習，行動九九

【Yuchen Wang】評論

年事件1998中華民國終身學習年2001生命教育年2010生態教育、終身學習行動年2011教育基礎年是新北市的(原本的台北縣)2011閱讀精進年是台北市的

【ChanJung Wu】評論

真是無聊的題目