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• 20. 在電源電壓為(120 + j200) V的電路中流過(7 + j16) A的電流，求此電路的等效阻抗值為何？(A) 13.25 − j1.705 Ω (B) 13.25 + j1.705 Ω
• 21. 如下圖所示，有一電阻為R歐姆且電感為L亨利的線圈與50 μF電容器串聯連接。若電源電壓為225∠0◦ V、60 Hz時，電路中流動的電流為I = 1.5∠-30◦ A，則線圈的R和L值為何？
• 22. 有一單埠電路，其戴維寧等效電壓為20 伏特，諾頓等效電流為4 安培，請問其諾頓與戴維寧等效電阻各為何？(A)同為 Ω (B)同為5 Ω (C) Ω與5 Ω (D) 5 Ω與 Ω
• 23. 如下圖所示，電源電流I的值為何？ (A) 9.12∠15.48◦(B) 10.78∠16.67◦(C) 11.55∠17.96◦(D) 12.63∠18.16◦
• 24. 如下圖所示，求A和B間產生的有效功率為何？ (A) 310.2 W(B) 339.5 W(C) 355.8 W(D) 378.3 W
• 25. 有一RLC串聯電路，電阻值為10 Ω，電容值為5 μF和一個可變電感L組成，電源電壓為20∠0◦伏特，頻率為318.3 Hz。當調整電感值至跨越10 Ω電阻的電壓為最大值時，則此電感L的值為何
• 26. 關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？(A)開路狀態下，空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊(B)逆向偏壓時，空
• 27. 對直接耦合(direct-coupling)放大器而言，下列敘述何者正確？(A)低頻響應佳，工作點較穩定 (B)高頻和低頻響應皆佳，工作點穩定(C)高頻響應較差，工作點較不穩定 (D)低頻響應
• 28. 某npn型電晶體操作在vBE = 710 mV，IC = 4 mA，其iC對vCE的特性有一斜率為4×10-5 ʊ，當電晶體操作在IC = 10 mA時，其輸出阻抗值為多少？(A) 40 kΩ
• 29. 當電晶體共射極放大器加入射極電阻，但不加射極旁路電容，則下列敘述何者正確？(A)電壓增益降低 (B)輸出阻抗降低 (C)輸入阻抗降低 (D)非線性失真增加
• 30. 如下圖所示之穩壓電路，假設 Q1、Q2的 IC = IE(IB忽略)，VBE = 0.7 V，VL = 12 V，則R1：R2為下列何者？ (A) 1：2(B) 3：4(C) 5：7(D) 7
• 31. 如下圖所示之電路，二電晶體參數均為VTH = 0.4 V及 = 120 µA/V2，若M1和M2長寬比為(W/L)1 = 30 和 (W/L)2 = 15，則 ID為以下何者？ (A) 5.4
• 32. 比較晶體基本偏壓組態之敘述，下列何者正確？(A)共閘極：輸入阻抗大，輸出阻抗小，輸入與輸出信號同相(B)共射極：電壓增益大，輸入與輸出信號反相(C)共汲極或源極隨耦器：輸入阻抗小，輸出阻抗大，
• 33. 有關負回授放大器的穩定性敘述，下列何者有誤？(A)增益邊界(gain margin)為正值則不穩定(B)如1 + Aβ的零點皆在複數頻率平面的左邊則穩定(C)暫態干擾影響會漸漸消失則穩定(D)
• 34. 如下圖所示之差動放大器。電晶體參數如下，μnCox= 100 μA/V2，VA = 10， 但Q1,2之(W/L)1,2 = 25，Q3之(W/L)3 = 50，Q4之(W/L)4 = 10。
• 35. 如下圖所示CMOS數位電路，請問輸出 Y為何種邏輯函數？ (A) (B) (C) (D)
• 36. 下列敘述何者有誤？(A)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳(C)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾(D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立，設計容易
• 37. 一差動放大器，其兩輸入電壓分別為Vi1 ＝ 55 μV，Vi2 ＝ 45 μV，共模拒斥比CMRR(dB) ＝ 40 dB，差模增益為Ad ＝ 500，則下列何者正確？(A)共模增益Ac ＝
• 38. 如下圖所示之集極回授偏壓電路，VCC ＝ 12 V，VBE ＝ 0.7 V，電晶體β ＝120，RC ＝ 1 kΩ，若 VCE ＝ 6.7 V，則RB為何？ (A) 48.5 kΩ(B) 76
• 39. 如下圖所示之振盪電路，於正常工作下，輸出電壓Vo之頻率為何？ (A) 398 Hz(B) 796 Hz(C) 1.592 kHz(D) 2.388 kHz
• 40. 如下圖所示電路，電晶體工作於作用區，β ＝ 99，VBE ＝ 0.7 V，熱電壓(thermal voltage) VT ＝ 26 mV，I則此放大電路之電流增益 為下列何者？ (A) 27
• 41. 如下圖所示，其中接面場效電晶體(JFET)之夾止電壓VP ＝ -4 V。已知此接面場效電晶體放大電路的工作點為VDS ＝ 3 V、ID ＝ 1 mA，汲極電阻 rd 忽略不計，則此電路之小訊號
• 42. 若量測電路中的pnp型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7 V，集極電壓為-3 V，請問電晶體操作在哪個區域？(A)截止區 (B)順向主動區 (C)飽和區 (D)逆向主動區
• 43. 有關由兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大電路的敘述，下列何者正確？(A)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的直流工作點(B)高頻的電壓增益受到耦合電阻的影響而降低(C)第一級直流工作點的變
• 44. 當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？(A)空乏區變寬、障壁電位增加 (B)空乏區變窄、障壁電位增加(C)空乏區變寬、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位減少