四、欲使一光子射源之暴露率降至 10 mR/h,所需的屏蔽厚度為 30 cm;已知此光子源的半值層(HVL)厚度為 2 cm,試問欲使此射源之暴露率降至 1.25 mR/h 所需的屏蔽厚度為多少 cm
八、一最大管電壓為 150 kVp 之X光機,使用條件為每天照射 100 張、每次 1 秒、120 mA,假設X光室有一辦公室距離 5 m,為主屏蔽方向(非管制區),使用因數(use factor)=
五、如圖(5)電路圖所示,有一個戴維寧等效電路含一個獨立電壓源vs(t) 串聯一個電容 C以及一個諾頓等效電路含一個獨立電流源is(t) 並聯相同電容 C。當獨立電壓源vs(t) 與獨立電流源is(t