四、電子質量m = 9.10938215 × 10−31 kg電子電量e = 1.602176487 × 10−19 C正電子質量=電子質量m真空光速c = 299792458 m s−1普郎克常數h
二、在一均勻半導體材料中，其本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為ni、本質費米能階（intrinsic Fermi energy）為Ei、費米能階（Ferm
五、一 p-n 接面二極體（junction diode）在交換應用（switching application）之順向（forward）與逆向偏壓（reverse bias）切換時具電容（capac
二、苯化學規範的容許曝露濃度值（permissible exposure limit，PEL）為 1 ppm曝露 8 小時。若液態苯在空氣中的揮發速度為 2 cm3/min，試問空氣（22.2℃, 0