稅務法規(稅務相關法規)

一、在急診室常見各種疑似藥毒物中毒之病患，請詳述腸胃道（gastrointestinal） 、心臟血管（cardiovascular）、神經（neurologic）、代謝（metabolic）四個系統

二、請詳述如何由人的牙齒數目及乳齒或恆久齒生長狀態判斷年齡。（每小題 5 分，共 15 分）【題組】⑴各種乳齒（temporary teeth）長出的年齡。

【題組】 ⑵各種恆久齒長出的年齡。

【題組】 ⑶總牙齒數與對應的年齡。

三、產科中常導致嚴重併發症引起醫療糾紛的疾病包括 ⑴ pre-eclampsia/eclampsia ⑵ HELLP ⑶ acute fatty liver of pregnancy ⑷ thromb

一、設計題目：建築工藝實驗中學設計 二、設計概述： 某機構擬設立建築工藝實驗中學，請根據下列設計目標、基地概況與設計需求提出設計方案，仔細閱讀「評分項目」逐題、逐項作答。 該機構之辦學理念強調行動學習

一、繪製土壤顆粒體積為一單位之土壤三相圖（Three phase diagram），詳細標註其各相之體積及重量（5 分），並據以推導下列公式： 【題組】 ⑴推導夯實理論中零空氣孔隙曲線（zero-ai

【題組】 ⑵定義土壤體積含水量 θ 為孔隙水體積（Vw）對總體體積（VT）之比值（ θ = ），VT試推導體積含水量與重量含水量（w）之轉換公式。（10 分）

二、一砂土試體進行三軸飽和壓密不排水試驗（SCU test），試體壓密完成之反水壓為100 kPa，圍壓為 200 kPa，達到破壞時之軸差應力為 200 kPa，Skempton 孔隙水壓參數 =

【題組】 ⑵依 Lambe（1964）之定義，繪製此試體可能之總應力與有效應力之應力路徑。（10 分）

【題組】 ⑶推論此試體為緊砂或鬆砂狀態，並說明推論之依據。 （5 分）

三、試以 Terzaghi 淺基礎承載力理論，回答下列問題：【題組】⑴繪出當土壤摩擦角 φ = 0 時，其條狀基礎破壞面且詳細標註其幾何參數。 （10 分）

【題組】 ⑵以 Terzaghi 承載力理論，列出於地表進行圓形平鈑載重試驗（plate load test），所得平鈑極限承載力與實際基礎之極限承載力於黏土及砂土層需如何修正，並說明其原由。（10

四、回答下列開挖支撐（Braced cut）相關問題：【題組】⑴說明為何進行支撐開挖側向土壓力多以 Peck（1969）視側壓力分布圖估算側向土壓力而非主動與靜止側向土壓力。 （15 分）

【題組】 ⑵以 Terzaghi 理論推導當開挖底部黏土層厚度大於開挖寬度 B 且開挖長度遠大於寬度時，其抗隆起安全係數。 （10 分）

一、半導體材料矽（Si）及砷化鎵（GaAs） ：【題組】⑴試分別指出其為何種晶格結構（crystal structure）？（5 分）

【題組】 ⑵請說明兩者之能帶圖結構各為直接能隙（direct bandgap）或間接能隙（indirectbandgap）？（10 分）

二、砷化鎵（GaAs）於溫度 T = 300 K 時，其能隙（bandgap） E g = 1.42 eV 、本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）ni ,30

三、假設在一半導體中之載子傳輸以漂移（drift）為主要機制：【題組】⑴請說明「載子遷移率（carrier mobility, μ）」之物理意義？（10 分）

【題組】 ⑵請寫出 μ 之物理單位？（5 分）

四、假 設 在 矽 （ Si ） 半 導 體 中 ， 其 電 子 濃 度 依 位 置 x 變 化 之 分 布 函 數 可 表 示 為n( x) = 1015 e − x / Ln cm − 3 ( x

五、請說明 p-n 接面因外加逆向偏壓、導致接面崩潰（junction breakdown）時，常見之兩種物理機制？（10 分）

六、請分別說明：短通道效應（short-channel effect）及窄通道效應（narrow-channel effect），對於金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOSFET）臨界電壓（thres

七、「基極寬度調變（base width modulation）效應」為雙極性電晶體（bipolar transistor）非理想效應（nonideal effects）之其一，請說明導致此效應之原因

八、假設以氟原子（F）進行矽（Si）或二氧化矽（SiO2）的蝕刻時，其蝕刻率可表示為：1 − Ea蝕刻率（nm/min）=其中，氣體常數 R = 1.987 cal-K，該常數(A)及活化能（Ea）參

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