A.電工原理、B.電子概論

53.在【圖8】電路中電晶體Q作為開關使用，其電容CB及電阻RB的主要功能為何？ (A)縮短電晶體的切換過程時間(B)延長電晶體的切換過程時間(C)提高電晶體導通時電流(D)降低電晶體導通時電流

54.就達靈頓(Darlington-pair)結構而言，下列何者正確？(A)輸出阻抗高，電流增益甚高 (B)輸出阻抗低，電流增益甚高(C)輸出阻抗低，電流增益等於1 (D)輸出阻抗高，電流增益小於1

55.一放大器的輸出阻抗為5kΩ，欲使8Ω的揚聲器能與放大器匹配，則須加變壓器之匝數比為：(A) 25 (B) 30 (C) 35 (D) 40

56.RC耦合電路中，C值必須甚大，其原因為：(A)級與級間之直流可順利通過 (B)防止低頻衰減(C)增加高頻響應 (D)產生較佳之偏壓穩定

58.下列何者是理想運算放大器的特點？(A)頻寬為零 (B)輸入阻抗為零 (C)輸出阻抗為無限大 (D)開路電壓增益為無限大

57.有一系統的功率轉換效率為80%，若損失功率是500瓦特，則該系統的輸出功率為：(A) 500W (B) 1600W (C) 2000W (D) 3200W

59.在下列邏輯閘中，何種閘為「當所有輸入均為0時，輸出才是0」？(A) (B) (C) (D)

18. 三個電容其電容及耐壓分別為30μF/100V、45μF/50V、90μF/25V；試求三者串聯後等效電容及耐壓為何？(A)165μF/175V (B)165μF/100V(C)15μF/150

60.如【圖9】所示之CE組態放大電路，已知VBE＝0.7 V，β＝100，RB＝100kΩ，RC＝2kΩ，VCE(sat)＝0.2 V，請問VO電壓為： (A) 0.2 V (B) 1.4V(C)

22. 如圖【6】所示電路，欲使電阻RL達最大功率之消耗，則電阻RL應調整為何？ (A)1.5Ω(B)3Ω(C)4.5Ω(D)6Ω

61.當溫度上升時，一般金屬導體之電阻值將會：(A)上升 (B)下降 (C)先上升後下降 (D)不變

23. 如圖【7】所示，原本伏特表滿刻度電壓為10V，內阻為20kΩ，欲將伏特表擴大應用，則分壓器之電阻RS1、 RS2 、 RS3值分別為何？ (A)180kΩ、800kΩ、1MΩ(B)180kΩ、

62.如【圖10】所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當RB電阻值變大時，其新的工作點將可能於下列哪一點？ (A) A點(B) B點(C) C點(D) D點

63.如【圖11】所示電路，若V1=＋2伏特，V2=－4伏特，使用理想運算放大器，則輸出電壓VO為： (A)－6V (B) 0V(C)＋2V (D)＋6V

64.下列半導體裝置中，何者具有負電阻特性？(A)稽納二極體 (B)場效電晶體(C)透納二極體 (D)變容二極體

65.下列敘述何者錯誤？(A)編號2SK30為N通道FET (B)編號1N60為常見的檢波用二極體(C)編號CS9014為PNP小訊號用電晶體 (D)編號2SC1384B為NPN高頻用電晶體

26. 下列何者為運算放大器的編號？(A)C106B (B)1N4001 (C)2SC1815 (D)μA741

27. 樞密特觸發電路之輸出波形為何？(A)方波 (B)正弦波 (C)三角波 (D)鋸齒波

28. 如圖【10】所示，為電晶體的符號表示法，其中a、b、c三個端子依序分別表示電晶體的： (A)射極、基極、集極(B)基極、集極、射極(C)集極、射極、基極(D)基極、射極、集極

29. 電晶體共射極(Common Emitter)放大器特性測試實驗所得到的輸入特性曲線為何？(A) (B) (C) (D)

30. 如圖【11】所示之達靈頓(Darlington)電路，下列敘述何者錯誤？ (A)Q1與Q2之連接屬於直接耦合(B)輸入阻抗極高(C)輸出阻抗極低(D)電流增益約為1

31. dBm之定義是：1毫瓦的功率消耗在多少電阻上之值？(A)100Ω (B)500Ω (C)600Ω (D)1000Ω

32. 如圖【12】所示，此曲線為下列何種FET的 ID-VGS特性曲線？(VT為臨界電壓) (A)N通道JFET(B)N通道空乏型MOSFET(C)P通道增強型MOSFET(D)N通道增強型MOSF

33. 如圖【13】所示之電路，為何種電路？ (A)石英晶體掁盪器(B)穩壓電路(C)非反相放大器(D)樞密特觸發器(Schmitt trigger)

34. 電晶體放大電路h參數之敘述，下列何者正確？(A)hi是從信號輸入端看進去的交流等效電阻(B)hf是逆向電壓增益(C)hf是順向電壓增益(D)ho是從信號輸出端看進去的交流等效電阻

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